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文檔簡介
1、本文采用一級扭曲波玻恩理論、BBK理論和DS3C理論研究電子碰撞氦原子電離到氦離子(n=1)的(e,2e)反應(yīng)過程。在中低等入射能量下探討了扭曲波效應(yīng)、電子關(guān)聯(lián)效應(yīng)和動力學(xué)屏蔽效應(yīng)對三重微分截面的影響,并與實驗做了比較。
理論部分,首先介紹了扭曲波玻恩近似理論方法,通過計算入射電子在氦原子態(tài)下的扭曲勢和散射電子與敲出電子在氦離子態(tài)下的扭曲勢,用扭曲勢計算描述這些電子的扭曲波函數(shù),采用分波法得出直接散射振幅,進(jìn)而得出三重微分
2、截面。另外本文中也計算了用平面波和庫侖波描述入射電子、散射電子和敲出電子的三重微分截面,是一般的一級玻恩近似理論方法,以便與其他理論比較探討扭曲波效應(yīng)、關(guān)聯(lián)效應(yīng)和動力學(xué)屏蔽效應(yīng)在提高理論與實驗數(shù)據(jù)的符合程度上的作用。
其次介紹了BBK和DS3C理論方法,他們是通過在末通道中引入索末菲參量考慮兩出射電子的相互作用,在氦原子的(e,2e)反應(yīng)里,把庫侖四體問題簡化為三體問題,末態(tài)波函數(shù)使用三個兩體庫侖相互作用的庫侖波描述;DS
3、3C理論是進(jìn)一步考慮了兩體庫侖相互作用時受到第三個粒子的影響,通過修正的索末參量來考慮這種動力屏蔽效應(yīng)。最后,以扭曲波玻恩近似為例,詳細(xì)計算了直接散射振幅。
結(jié)果與討論部分,在非共面對稱條件下,計算了入射電子能量分別分為604.59eV、634.59eV、400eV、250eV和150eV等情況下的電子碰撞氦原子電離到氦離子(n=1)的三重微分截面。扭曲波近似理論,簡化了計算過程,理論的計算結(jié)果在相當(dāng)大入射電子能量范圍內(nèi)與
4、實驗結(jié)果符合,說明了這種扭曲勢比較接進(jìn)真實勢;但是在150eV時,扭曲波近似理論與實驗結(jié)果差距較大;兩出射電子波函數(shù)沒有充分考慮它們之間的相互作用可能是差距較大的一個原因之一。
BBK理論和DS3C理論考慮了兩出射電子的關(guān)聯(lián)效應(yīng),在入射電子能量150eV時與實驗結(jié)果在binary區(qū)域符合程度較好,比全扭曲波理論要優(yōu)越,但是隨著入射電子能量的進(jìn)一步降低,與實驗的符合程度可能有降低的趨勢。這也說明了扭曲波近似理論中沒有充分考慮
5、到兩出射電子關(guān)聯(lián)效應(yīng)。而DS3C在很大的區(qū)域上描述了實驗數(shù)據(jù)分布,但是卻明顯增大了recoil峰值的位置。在這兩種模型里,電子采用了庫侖波來描述,在計算庫侖波中把離子看成是有效點電荷處理,當(dāng)入射電子能量較低時變得不是很合適,這種波函數(shù)不是一種很精確的近似波函數(shù);并且截面的計算依賴于邊界的選取,而邊界的位置不能優(yōu)先確定。
在recoil區(qū)域,本文所討論的近似理論基本不能反映實驗結(jié)果,除了考慮關(guān)聯(lián)效應(yīng)的理論在入射電子能量400
6、eV,敲出電子能量為10eV時,與實驗符合程度較高。敲出電子能量較大時,符合程度相對也較好。這可能是由于,敲出電子能量較高時,受到離子場影響相對小,這些理論中所描述的敲出電子波函數(shù)較接近真實的波函數(shù),而末態(tài)波函數(shù)對recoil區(qū)域的影響較大的原因。
在計算電子碰撞氦原子電離的(e,2e)反應(yīng)的三重微分截面上,考慮關(guān)聯(lián)效應(yīng)的理論方法比考慮扭曲波效應(yīng)的理論方法適用的范圍要大些。這兩種效應(yīng)從不同方面提高了一級玻恩近似理論與實驗結(jié)
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