三元超導(dǎo)化合物Sc-,5-Ir-,4-Si-,10-的超導(dǎo)電性.pdf

1、三元超導(dǎo)化合物R5T4X10（其中R=Sc，Y，Lu；T=Co，Rh，Ir，Os；X=Si，Ge）屬于Sc5Co4Si10型結(jié)構(gòu)，是簡(jiǎn)單四邊形結(jié)構(gòu)，空間群P4/mbm。這種結(jié)構(gòu)的最大特點(diǎn)是不含TM（過(guò)渡金屬）-TM鍵，所以與其他三元超導(dǎo)化合物不同，其超導(dǎo)性與過(guò)渡金屬團(tuán)簇?zé)o關(guān)。這些硅化物通常表現(xiàn)出電荷密度波和磁性或超導(dǎo)性的共存特性，但Sc5Ir4Si10卻沒(méi)有表現(xiàn)出電荷密度波，而表現(xiàn)出最高的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度（Tc約為8．5K），是唯一的例外。

2、本文通過(guò)電測(cè)量和磁測(cè)量研究了Sc5Ir4Si10超導(dǎo)材料包括電阻、磁化強(qiáng)度、臨界電流密度、上臨界場(chǎng)等在內(nèi)的物理性質(zhì)，著重研究了其比熱性質(zhì)以及配對(duì)機(jī)制問(wèn)題，主要內(nèi)容如下： 1．采用掃描電鏡（SEM）觀察了樣品的表面形貌，并分析其物質(zhì)組成；用X射線衍射（XRD）衍射峰根據(jù)Bragg公式計(jì)算得出晶面間距，從而確定樣品為c軸取向樣品。 2．用四引線法測(cè)量樣品的電阻溫度關(guān)系，確定樣品的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度，并用Bloch-Gruneise

3、n公式對(duì)R-T。曲線進(jìn)行了擬合。 3．通過(guò)磁測(cè)量確定樣品的臨界電流密度，從而計(jì)算出釘扎力，并對(duì)釘扎力進(jìn)行了簡(jiǎn)單標(biāo)度，推測(cè)其對(duì)簡(jiǎn)單標(biāo)度的偏離是因?yàn)轫槾胖行牡挠绊懀桓鶕?jù)實(shí)驗(yàn)測(cè)得的M-T曲線得出上臨界場(chǎng)與溫度的關(guān)系曲線，上臨界場(chǎng)的各向異性說(shuō)明其為層狀超導(dǎo)結(jié)構(gòu)，隨后我們并根據(jù)WHH模型對(duì)Hc2-T曲線進(jìn)行了擬合。 4．采用4-Einstein峰擬合品格比熱的方法對(duì)高溫部分進(jìn)行處理，成功地分離了晶格比熱和電子比熱。低溫下的比熱用德