鍺硅雙層量子點(diǎn)的電學(xué)特性研究.pdf

1、該文研究了GeSi雙層量子點(diǎn)的耦合效應(yīng),從理論和實(shí)驗(yàn)上對用分子束外延(MBE)自組織方式生長的Si基Ge雙層量子點(diǎn)的深能級瞬態(tài)譜(DLTS)、導(dǎo)納譜(Admittance Spectroscopy)進(jìn)行了系統(tǒng)的分析,對三塊不同間隔層的雙層量子點(diǎn)樣品進(jìn)行電學(xué)測試,通過它們不同的電學(xué)行為,研究了雙層量子點(diǎn)耦合效應(yīng)跟間隔層厚度的關(guān)系.1.用DLTS方法研究了雙層Ge量子點(diǎn)中載流子的俘獲過程,改變脈沖寬度,通過比較三塊不同樣品的DLTS譜,我們

2、可以很清楚地看到,隨著雙層量子點(diǎn)間間隔層厚度的增大,兩層量子點(diǎn)間的耦合作用相應(yīng)地減小了.當(dāng)間隔層厚度為4.5nm時(shí),兩層量子點(diǎn)強(qiáng)烈耦合成單層量子點(diǎn);當(dāng)間隔層厚度為6.0nm時(shí),耦合效應(yīng)減小,但在兩層之間出現(xiàn)了隧穿效應(yīng);當(dāng)間隔層厚度增大為7.5nm時(shí),耦合效應(yīng)幾乎可以忽略.2.用導(dǎo)納譜的方法研究了雙層Ge量子點(diǎn)的能級結(jié)構(gòu)及庫侖荷電效應(yīng).通過改變不同的反向偏壓,利用不同的測試頻率可得出量子點(diǎn)中相應(yīng)的空穴的激活能.并跟DLTS所得到的結(jié)果進(jìn)行