鍺硅量子環(huán)生長(zhǎng)及其機(jī)制的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、復(fù)旦大學(xué)碩士學(xué)位論文鍺硅量子環(huán)生長(zhǎng)及其機(jī)制的研究姓名：崔健申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：凝聚態(tài)物理指導(dǎo)教師：蔣最敏20040520AbstraetRecentlyanewtypeofnanostructures，selfassembledquantumrings(QRs)，hasbeenintroducedTheywerefirstlyobtainedin兒I—Vmaterialsbypartiallycappingquantumdots(Q

2、Ds)WedemonstratetheselfassembledSiGequantumringsgrownatapropertemperaturebypartiallycappingonGequantumdotsonSif001)t’orthefirsttimeAtomicforcemicroscopyimagesshowtheshapetransformationfromQDstoQRsInitialcapping，withaSila

3、yerthicknesslessthan2tim，willresultinthedecreaseofheightofQDsandincreaseofbasediameterofQDsCappedwithSilayerofaproperthickness，QDswillchangeintoQRsThemechanismoftransformationfromQDstoQRsisdiscussedThestrainwillredistrib

4、uteaftercapping，thusthestrainenergyrelieftogetherwithhighGesurfacediffusionandGesurfacesegregationatarelativehightemperatureof680。CplaysthedominantroleFollowingwiththesepreliminaryresults，athoroughresearchonbothtemperatu

5、reandcappinglayerthicknessinfluenceonthegrowthofQRshasbeencarriedoutBeforepartiallycapping，highlyuniformeddomeshapedQDswereobtainedinsituthermalholdingimprovestheuniformityAtlowgrowthtemperatureof400℃thedotsremaindomedsh

6、apewithasmallchangeofsizeafter032nmandO64nmthickSicappingInthissituation，surfacediffusionandelementalintermixingareprohibitedAthighgrowthtemperatureof640“(2，cappingwithafewSimonolayers，dotswillchangefromdomestopyramidsBy

7、032nmthickSicapping，thedotsshowrectangularbasedpyramidshapewithf103facets，andbyO，64nmthickSicapping，thedotsarewith(105)facetsBasedontheseexperimentalresultsthehighGesurfacediflusionisproposedtobeacrucialfactorinthedotssh

8、apedevelopmenttOQRswhencappingGrazingincidencex—raydiffractionexperimentalresultsconfirmedthisconclusion(Meta)stablepyramidshapedislandswith(103facetswereobservedforthefirsttimeAftercheckingthereferenceson105)and103)face

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