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1、Ag 插入TiSe2形成插層化合物AgxTiSe2（0 2、dio軟件包的Visualizer模塊和CASTEP模塊，對該類材料的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)進行了計算研究，得到如下結(jié)果： 1.幾何優(yōu)化結(jié)果表明，在所用的八種計算方案中，LDA-CAPZ-US 方案是最適合對該類插層化合物材料進行幾何優(yōu)化的。 2. 能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度計算結(jié)果表明，插入的Ag 原子與母體中近鄰的Se 原子和Ti 原子在費米面附近發(fā)生強烈的軌道雜化。這導致各個有序AgxTiSe2系統(tǒng)的導帶發(fā)生不同程度的下移，并且由母體的
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