Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備和拉曼光譜的研究.pdf

1、Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體量子點(diǎn)是現(xiàn)在研究最多的材料之一，本文在綜述量子點(diǎn)的制備方法和應(yīng)用現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，采用膠體化學(xué)法制備出單分散的CdSe，CdTe和核殼CdSe/CdS量子點(diǎn)，研究了在不同的溶劑、反應(yīng)時(shí)間、反應(yīng)溫度對(duì)量子點(diǎn)的生長(zhǎng)和光學(xué)性質(zhì)的影響，取得的主要結(jié)果如下：不同溶劑對(duì)量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度以及尺寸分布影響較大，通過(guò)反應(yīng)時(shí)間的調(diào)節(jié)，可以實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)發(fā)射波長(zhǎng)調(diào)控。通過(guò)成核溫度以及生長(zhǎng)溫度的平衡可以調(diào)節(jié)量子點(diǎn)的尺寸，以及尺寸分布。從中得到比較優(yōu)化的生

2、長(zhǎng)條件。通過(guò)熒光發(fā)射光譜(PL)、高分辨透射電子顯微鏡(HR-TEM)，X射線衍射儀(XRD)手段跟蹤反應(yīng)過(guò)程并對(duì)樣品形貌，分散性，晶型進(jìn)行了表征。研究了核層以及殼層厚度可控生長(zhǎng)的分散度很好的CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)的制備。發(fā)現(xiàn)隨著CdS的生長(zhǎng)，由于CdS對(duì)CdSe核層的鈍化作用，極大提高了量子點(diǎn)的量子效率，以及尺寸效應(yīng)等導(dǎo)致的熒光峰紅移。 本文另一部分研究了CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)隨著殼層厚度的增加(0-5.5ML)的拉曼

3、散射信息的變化，以及合金CdS<,0.5>Se<,0.5>的拉曼分析，采用聲子限域模型和介電連續(xù)模型分別分析了CdSe以及CdS的縱模和表面模隨著殼層厚度的變化情況，并與理論值做了比較。研究了不同殼層厚度(0-5.5ML)的CdSe/CdS核殼量子點(diǎn)的一次和高次拉曼散射，具體分析了CdSe和CdS的表面模隨著殼層厚度的變化情況。結(jié)果表明，隨著殼層厚度的增加，CdSe表面模(SO1)從198cm<'-1>頻移到185cm<'-1>，CdS