溶劑熱法制備ITO（銦錫復(fù)合氧化物）納米粉體及其性能研究.pdf

1、本文綜述了ITO材料的結(jié)構(gòu)性能以及其廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，簡要介紹了ITO粉體的制備技術(shù)。采用以有機醇為溶劑的溶劑熱法制備ITO納米粉體?？疾炝巳軇╊愋?、反應(yīng)溫度、反應(yīng)時間、共沉淀pH值、SnO<,2>摻雜量等對ITO粉體組成、晶型、粒度及性能的影響，同時對溶劑熱法合成納米ITO粉體的生長機理進行了簡要探討。 研究發(fā)現(xiàn)了溶劑對反應(yīng)產(chǎn)物的影響。結(jié)果表明，溶劑不同制備出ITO粉體所需要的溫度不同。以乙醇為溶劑在250℃下反應(yīng)6h可以得到深

2、藍(lán)色的立方相的ITO粉體，TEM圖表明，該粉體為四方狀的結(jié)晶完好的納米微粒，粉體的粒徑為～60nm。溶劑熱反應(yīng)溫度低于250℃或反應(yīng)時間低于6h時得到的粉體結(jié)晶性較差、脫水不完全。同時通過XRD分析，發(fā)現(xiàn)在共沉淀pH值較低時不利于In<'3+>和Sn<'4+>粒子的同步沉淀。在摻雜不同SnO<,2>量時，反應(yīng)得到的樣品均為結(jié)晶良好的ITO粉體，即使SnO<,2>摻雜比為15﹪時也沒有Sn的峰出現(xiàn)，說明Sn能很好的摻雜進入In<,2>O<

3、,3>。 文中采用XPS對ITO結(jié)構(gòu)中元素的結(jié)合狀態(tài)進行了分析。結(jié)果表明，ITO中Sn從+4價向低氧化態(tài)方向偏移，氧原子也并不是簡單地與In<'3+>和Sn<'4+>結(jié)合成鍵，而是存在復(fù)雜的電子偏移。ITO具有禁帶寬、載流子濃度高的特征，二者的結(jié)合使ITO具有優(yōu)良的導(dǎo)電性能和光學(xué)性能。該方法制備的ITO粉體的電阻率可達(dá)0.06Ω·cm，同時具有良好的吸波性能，樣品的最大吸收可達(dá)-32dB，吸收頻率小于-10dB的范圍寬度可達(dá)2.