GaAs（114）表面電子結構和面心立方金屬表面擴散的計算和理論研究.pdf

1、Ⅲ-Ⅴ族半導體材料GaAs的高密勒指數(shù)表面和金屬表面自擴散生長的機制研究是目前表面科學研究的熱點問題。本文根據(jù)目前實驗上已有的研究結果，對GaAs高密勒指數(shù)(114)表面原子和電子結構以及面心立方(FCC)金屬表面上一種原子向上擴散生長形成量子點的生長機制進行了第一性原理和經(jīng)驗分子動力學的理論計算和研究。得到如下一些結論：1.GaAs高密勒指數(shù)(114)表面的計算研究,基于密度泛函理論的第一性原理計算研究用的是VASP軟件包進行的。依據(jù)

2、計算結果重構后表面形成兩個As-As的二聚體(dimer)鍵和兩個Ga-Ga的新鍵，重構后表面的帶結構從金屬性轉變?yōu)榘雽w性，表面帶隙為0.8eV。分析表面能帶結構的變化及表面帶隙的出現(xiàn)，主要是由于表面重構二聚體鍵的形成和表面電荷的轉移。2.FCC金屬(110)表面原子向上擴散生長機制的模擬,采用半經(jīng)驗嵌入原子(EAM)勢的分子動力學方法，研究了面心立方結構金屬Al、Cu的(110)表面在同質外延生長過程中一種原子向上擴散生長的機制。用