Au-（Si-SiO-,2-）-p-Si結(jié)構(gòu)中載流子輸運(yùn)及電致發(fā)光機(jī)制的研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文用射頻磁控濺射技術(shù)制備了Au/(Si/SiO2)/P-Si結(jié)構(gòu)的樣品，測(cè)定了樣品在室溫下的I-V特性曲線以及不同電壓下的電致發(fā)光譜。對(duì)其電致發(fā)光的內(nèi)在機(jī)制進(jìn)行了研究。 對(duì)載流子輸運(yùn)機(jī)制的研究，主要是用隧穿模型和熱電子發(fā)射模型對(duì)測(cè)得的I-V特性曲線進(jìn)行分析。結(jié)果表明在較高的電場(chǎng)下，Au/(Si/SiO2)/p-Si結(jié)構(gòu)的I-V曲線隨Fowler-Nordheim規(guī)律變化，陷阱對(duì)電流的影響不明顯，電流受電壓和溫度以及薄膜的厚度影

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