TiO2-p+-Si異質結的電致發(fā)光.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、二氧化鈦(TiO2)作為半導體材料,目前主要應用于光催化和染料太陽電池。雖然它是間接帶隙半導體導致室溫下帶邊發(fā)光效率不高,但由于存在缺陷(如：氧空位)引起的發(fā)光中心,因而在可見光區(qū)仍存在顯著的發(fā)光。因此,利用TiO2薄膜制備電致發(fā)光器件是值得研究的課題。本文研究了TiO2薄膜的形成條件以及氫退火對TiO2/p+-Si異質結電致發(fā)光的影響,得到了如下主要結果：
　　 利用磁控濺射法以不同條件在重摻硼硅片(p+-Si)上制備Ti薄膜

2、,它們經(jīng)過500°C的熱氧化轉化為TiO2薄膜。研究表明,只有在較小濺射功率下制備得到的晶粒細小且致密的Ti薄膜經(jīng)過熱氧化后才能轉變?yōu)閱我讳J鈦礦相的TiO2薄膜。而要使TiO2/p+-Si異質結產生顯著的電致發(fā)光,其中的TiO2薄膜必須呈現(xiàn)單一的銳鈦礦相,且薄膜厚度需要控制在合理的范圍內。若TiO2薄膜中存在少量的金紅石相,TiO2/p+-Si異質結的電致發(fā)光則顯著減弱,這可能與非輻射復合中心的增加有關。
　　 將p+-si襯底

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