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1、混合自旋BCM臨界行為和磁學(xué)性質(zhì)是本文重點討論內(nèi)容，在本文中主要采用了鍵稀疏和隨機晶場作用下混合自旋為1和1/2的BC模型，在有效場的框架內(nèi)計算并討論了三維簡立方系統(tǒng)的臨界行為和相關(guān)磁學(xué)性質(zhì)。系統(tǒng)的居里溫度隨著晶場的增加而單調(diào)遞減并且在相圖中出現(xiàn)了三臨界點，而鍵稀疏對三臨界點有著明顯的抑制作用，當(dāng)鍵稀疏濃度降低到閾值pc的時候系統(tǒng)將出現(xiàn)誘導(dǎo)磁有序，此時晶場濃度無論如何取值，該系統(tǒng)在一定的晶場范圍內(nèi)(0≤-D/J≤0.5)都將存在有序，這
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