ZnO熒光薄膜的制備與硫化研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、氧化鋅是寬禁帶(3.3ev)直接帶隙n型半導(dǎo)體材料,并且具有較高的激子束縛能(60ev).這使其成為紫外激光器和真空熒光顯示的理想材料.在熒光顯示方面,人們比較關(guān)注的是ZnO薄膜藍(lán)一綠光發(fā)射的特性,以便使其作為綠色熒光材料應(yīng)用于平板顯示領(lǐng)域,或用于制備短波長發(fā)光二極管. 本課題采用脈沖激光沉積法首先在玻璃襯底上制備高結(jié)晶質(zhì)量的ZnO納米熒光薄膜,然后首次采用硫化工藝處理以在不降低熒光薄膜結(jié)晶質(zhì)量的情況下增加熒光薄膜中的O空位的濃

2、度.利用X射線衍射儀(XRD),掃描電子顯微鏡(SEM)分別對硫化前后的熒光薄膜進(jìn)行分析,并用光致發(fā)光(PL)譜對硫化后熒光薄膜的發(fā)光性能進(jìn)行測試分析.通過研究得到以下結(jié)果： 1.系統(tǒng)探索了氧氣壓強(qiáng)等工藝參數(shù)對薄膜結(jié)晶質(zhì)量及表面形貌的影響,獲得了制備高結(jié)晶質(zhì)量ZnO薄膜的最佳工藝參數(shù):激光器電壓為12KV,靶材與襯底之間的距離為3.0cm,氧氣壓強(qiáng)為8Pa。 2.對ZnO納米熒光薄膜進(jìn)行硫化還原工藝研究,結(jié)果表明隨著硫化

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