55nm CMOS金屬硬質(zhì)掩模銅互連技術(shù)中濕法清洗工藝的開發(fā)與改進(jìn).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文主要研究了55nm CMOS金屬硬質(zhì)掩模銅互連技術(shù)中濕法清洗工藝。在55nm工藝平臺中，評估了三種清洗藥液，第一種是胺基為基礎(chǔ)的有機(jī)溶劑，第二種是半有機(jī)半水基的清洗藥液，第三種是稀釋的氫氟酸。通過刻蝕速率、缺陷、電學(xué)性能、許容時間等方面表現(xiàn)的比較，第一種胺基有機(jī)溶劑表現(xiàn)最優(yōu)。并通過藥液交換是設(shè)定的優(yōu)化，使得60nm以下顆粒表現(xiàn)達(dá)到最優(yōu)，工藝開發(fā)完成。
　　在實際生產(chǎn)過程中，發(fā)現(xiàn)了銅腐蝕、球形缺陷、有機(jī)殘留缺陷等問題。通過研究，

2、找到了缺陷發(fā)生的原因。銅腐蝕是由于光引起的電流，在清洗過程中發(fā)生電化學(xué)腐蝕，通過保持黑暗的腔體環(huán)境能杜絕銅腐蝕問題。球形缺陷主要是設(shè)備潔凈度以及藥液潔凈度不佳引起的，而從硅片中心聚集的特征入手，調(diào)整工藝程式噴藥液的起始位置，能有效降低球形缺陷。通過增加水洗時間可以有效減少有機(jī)殘留缺陷，同時不會引起額外的銅損失。通過這些改善，使得清洗工藝更加成熟、完善，缺陷降低，良率提升。
　　同時也對金屬硬質(zhì)掩模銅互連中的清洗工藝的發(fā)展趨勢做了一

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