65nm以下CMOS鎳硅化物中鎳過度擴散的工藝優(yōu)化.pdf

1、在半導體制造業(yè)中,自對準金屬硅化物被廣泛應用在源、漏、柵極與金屬之間的接觸,在大規(guī)模和超大規(guī)模CMOS邏輯集成電路技術(shù)中起著非常重要的作用。隨著晶體管集成度越來越高,器件尺寸越來越小,金屬硅化物也不斷地在發(fā)展變化。在進入65nm以及45nm技術(shù)節(jié)點以后,由于線寬效應的制約,業(yè)界轉(zhuǎn)而采用硅化鎳取代原有的硅化鈷,以降低電阻值并減少漏電流,獲得更高的器件性能。但由于鎳原子比較活躍,并且硅化鎳在高溫下不穩(wěn)定,會轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠娮柘?。而且鎳原子容易發(fā)生

2、過度擴散進入器件深處,嚴重影響器件性能并降低產(chǎn)品良率。通常采用添加其他金屬元素來增強硅化鎳的熱穩(wěn)定性。
　　 本文通過研究分析鎳的擴散發(fā)生機制,針對鎳硅化物工藝進行對比實驗,優(yōu)化了其制備工藝。實驗分別對比了不同溫度快速退火對鎳擴散的影響,并通過調(diào)整濺射工藝參數(shù),來比較不同條件下沉積的鎳鉑薄膜中鉑含量以及它對鎳擴散的影響;還對比研究了不同的鎳硅化物制備工藝條件對鎳擴散的影響。通過這些實驗,找到了兩種有效解決鎳擴散問題的制備方案。在