基于SiP技術的X波段T-R組件研制.pdf

1、相控陣雷達在實際應用中眾多優(yōu)點使它成為現代雷達重要發(fā)展方向，各個國家都在大力發(fā)展相控陣雷達技術。T/R組件是有源相控陣雷達的核心部分，由于每個相控陣雷達系統中都有數量眾多的T/R組件，因此T/R組件的性能往往決定了相控陣雷達的性能。通過對T/R組件的小型化、低成本、高可靠性的研究必定會推動整個相控陣雷達技術的發(fā)展。近年來發(fā)展迅速的SiP技術利用成熟的封裝工藝，可將多個具有不同功能的有源電子器件、多種無源元件、MEMS及光電器件等組裝為不

2、同功能的單個標準封裝件，形成一個系統或者子系統。運用SiP技術實現混合集成，具有設計靈活、周期短、成本低的優(yōu)點。因此，開展基于SiP技術的低成本T/R組件技術研制契合了有源相控陣雷達的發(fā)展方向。
　　根據項目所要求的技術指標，在總體方案設計的基礎上，對組件所需要的芯片進行選擇，并且在選定的芯片下對接收和發(fā)射支路的增益、噪聲系數等指標進行估算，并且用ADS軟件進行仿真驗證，得出方案的可行性。項目中使用的多層電路基板是由兩種不同的介質

3、基板材料和半固化片構成的，對于基板材料的介電常數的可能發(fā)生的變化運用HFSS軟件進行仿真，驗證介電常數的變化對轉角結構的影響，使用HFSS軟件對于兩種基板材料和半固化片的厚度變化進行仿真，驗證厚度變化對轉角結構傳輸的影響。由于項目中使用的是多層介質基板，芯片嵌入需要墊在鉬銅合金上，鉬銅合金可以起到良好的散熱作用，針對鉬銅加工過程中可能出現的尺寸誤差進行仿真，驗證鉬銅尺寸變化對于傳輸的影響。根據 T/R組件電路實施方案、選擇的芯片進行電路