憶阻器模型電路設(shè)計與憶阻器混沌電路研究.pdf

1、1971年華裔科學家蔡少棠提出了一種除電阻、電容和電感之外的第四種基本電子器件憶阻器，并給出了憶阻器的定義以及相關(guān)電路學理論，但由于科學技術(shù)的限制，一直沒有制作出憶阻器實物器件，直到37年后，納米形態(tài)下的憶阻器才由惠普實驗室制作出來，隨后吸引了眾多科學家對憶阻器的研究。憶阻器是一種納米尺寸器件，將憶阻器應(yīng)用于實際電路設(shè)計存在技術(shù)難度大、成本高等系列問題，因此設(shè)計一種憶阻器模擬等效電路，這對分析和研究憶阻器電學特性及其在具體工程中的應(yīng)用具

2、有重要意義。
　　憶阻器阻值會隨輸入激勵信號源的變化而呈非線性改變，是一種典型的非線性器件，因此是構(gòu)建混沌和超混沌系統(tǒng)的理想元件，并且憶阻器混沌系統(tǒng)以其對系統(tǒng)參數(shù)、初始條件的極端敏感性和混沌特性豐富等優(yōu)勢將廣泛應(yīng)用于信息加密和混沌保密通信等眾多領(lǐng)域。本文的工作重點集中在憶阻器模擬等效電路的設(shè)計及憶阻器混沌電路在保密通信中的應(yīng)用研究，主要研究工作如下：
　　(1)根據(jù)磁控憶阻器電學特性，設(shè)計了一類磁控憶阻器模擬等效電路，經(jīng)Ps

3、pice仿真驗證，該等效電路能很好地模擬磁控憶阻器的電學特性，并且提出的等效電路結(jié)構(gòu)簡單，硬件容易實現(xiàn)，非常適合在實驗環(huán)境中分析和研究憶阻器，同時該等效電路能應(yīng)用于實際憶阻器混沌電路的仿真。
　　(2)在蔡氏電路的基礎(chǔ)上利用磁控憶阻器設(shè)計了一類四階憶阻器混沌電路，采用基本的動力學分析手段研究了其動力學特性，為驗證所設(shè)計電路的混沌特性，利用憶阻器模擬等效電路和基本電子元器件實現(xiàn)了電路仿真，仿真結(jié)果驗證了電路的混沌特性并證實了所設(shè)計電