2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩56頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、記憶電阻器是具有記憶功能的非線性無源二端口器件,是繼電阻、電容和電感的第四種基本電路元器件。本文研究憶阻器電路的混沌現(xiàn)象及其混沌同步。
  用憶阻器替換蔡氏對(duì)偶混沌電路的非線性元件,構(gòu)造出一個(gè)基于憶阻器的蔡氏對(duì)偶振蕩電路,通過理論分析、數(shù)值模擬分析的方法,證明了該電路有豐富的混沌動(dòng)力學(xué)行為;憶阻器參數(shù)取不同的初值,可以實(shí)現(xiàn)相軌跡從周期、混沌、收縮到定點(diǎn)的轉(zhuǎn)換。
  廣義記憶元件具有更廣泛性,其包含憶阻器、憶容器和憶感器。本文

2、提出一種廣義記憶元件模型,并用數(shù)值仿真、電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的方法,實(shí)證了該模型的記憶元件特性;用該廣義記憶元件設(shè)計(jì)出一個(gè)僅包含一個(gè)非線性項(xiàng)的廣義記憶元件混沌電路。從理論分析、數(shù)值仿真及電路設(shè)計(jì)三個(gè)方面,證明了該電路的混沌存在性、存在復(fù)雜非線性動(dòng)力學(xué)行為。
  用單向耦合和投影同步法,實(shí)現(xiàn)所提出的廣義記憶元件混沌電路同步控制,數(shù)值仿真結(jié)果表明在較短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)同步化目標(biāo)。設(shè)計(jì)了單向耦合同步的實(shí)現(xiàn)電路,電路運(yùn)行結(jié)果和數(shù)值分析仿真結(jié)果一致。

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論