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1、記憶電阻器是具有記憶功能的非線性無源二端口器件,是繼電阻、電容和電感的第四種基本電路元器件。本文研究憶阻器電路的混沌現(xiàn)象及其混沌同步。
用憶阻器替換蔡氏對(duì)偶混沌電路的非線性元件,構(gòu)造出一個(gè)基于憶阻器的蔡氏對(duì)偶振蕩電路,通過理論分析、數(shù)值模擬分析的方法,證明了該電路有豐富的混沌動(dòng)力學(xué)行為;憶阻器參數(shù)取不同的初值,可以實(shí)現(xiàn)相軌跡從周期、混沌、收縮到定點(diǎn)的轉(zhuǎn)換。
廣義記憶元件具有更廣泛性,其包含憶阻器、憶容器和憶感器。本文
2、提出一種廣義記憶元件模型,并用數(shù)值仿真、電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的方法,實(shí)證了該模型的記憶元件特性;用該廣義記憶元件設(shè)計(jì)出一個(gè)僅包含一個(gè)非線性項(xiàng)的廣義記憶元件混沌電路。從理論分析、數(shù)值仿真及電路設(shè)計(jì)三個(gè)方面,證明了該電路的混沌存在性、存在復(fù)雜非線性動(dòng)力學(xué)行為。
用單向耦合和投影同步法,實(shí)現(xiàn)所提出的廣義記憶元件混沌電路同步控制,數(shù)值仿真結(jié)果表明在較短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)同步化目標(biāo)。設(shè)計(jì)了單向耦合同步的實(shí)現(xiàn)電路,電路運(yùn)行結(jié)果和數(shù)值分析仿真結(jié)果一致。
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