40納米3G手機基帶芯片的物理實現(xiàn).pdf

1、近年來，移動通信系統(tǒng)的發(fā)展給移動終端的設(shè)計帶來了越來越大的挑戰(zhàn)。而移動終端的性能和成本主要體現(xiàn)在芯片特別是基帶芯片上。隨著移動通信系統(tǒng)從2G、2.5G發(fā)展到現(xiàn)在的3G時代，其基帶芯片的設(shè)計也發(fā)生了相應(yīng)的變化。
　　本文研究了3G手機基帶芯片在40納米芯片設(shè)計技術(shù)下的實現(xiàn)方式。主要討論了由于引入低功耗設(shè)計流程中的供電描述文件UPF，而產(chǎn)生的設(shè)計流程和設(shè)計方式上的變化。在本設(shè)計中，本人深入研究了現(xiàn)代低功耗設(shè)計的相關(guān)技術(shù)以及標準；參照U

2、PF1.0標準，研究了使用UPF文件來描述低功耗設(shè)計意圖、指標和參數(shù)的方法；研究了如何在傳統(tǒng)邏輯綜合過程中引入UPF文件來插入電壓控制邏輯，實現(xiàn)低功耗設(shè)計意圖；分析研究了網(wǎng)表文件中出現(xiàn)的多供電電壓設(shè)計問題，依據(jù)多供電電壓設(shè)計規(guī)則的要求，進行規(guī)則上的分析、檢查和修正，以實現(xiàn)低功耗設(shè)計意圖；分析研究了多電壓／多電源技術(shù)中供電網(wǎng)絡(luò)上出現(xiàn)的問題，提出了有效的解決方案以降低芯片的靜態(tài)電壓降。分析研究了在使用低功耗設(shè)計方法后，傳統(tǒng)靜態(tài)時序分析的不足