VLSI工藝中鋁互連與蝕刻的研究.pdf

1、電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文VLSI工藝中鋁互連與蝕刻的研究姓名：王強(qiáng)申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：姜斌20050101電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要在VLSI工藝中，A1互連具有舉足輕重的地位，本文重點(diǎn)對(duì)A1薄膜的濺射工藝及蝕刻工藝進(jìn)行詳細(xì)的研究。磁控濺射中，濺射溫度對(duì)濺射鋁膜有很重要的影響，它關(guān)系到鋁原子的能量，原子在硅片表面的吸附，凝結(jié)等鋁薄膜的形成過(guò)程。襯底溫度決定原子的表面遷移率，襯底溫度是影響淀積的鋁膜的均勻性和

2、臺(tái)階覆蓋能力的主要因素。本文通過(guò)調(diào)節(jié)Varian3290的各項(xiàng)參數(shù)來(lái)控制襯底的溫度，研究溫度對(duì)鋁膜的影響，使濺射的鋁膜能夠符合半導(dǎo)體制造的要求。實(shí)驗(yàn)得出，在設(shè)定的加熱溫度在150。C～2506C時(shí)，鋁膜的質(zhì)量較好。襯底溫度越高，鋁膜越不容易出現(xiàn)鋁凹陷，臺(tái)階覆蓋性越好，但是薄膜的表面形貌會(huì)相應(yīng)變差。在蝕刻方面，以AppliedMaterials的8330機(jī)臺(tái)為基礎(chǔ)，通過(guò)大量的實(shí)驗(yàn)，研究了如何優(yōu)化蝕刻速率、均勻性、選擇比、化合物等主要蝕刻參