CMOS低壓降線性穩(wěn)壓器（LDO）的穩(wěn)定性及頻率補償技術.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文重點研究了LDO線性穩(wěn)壓器的系統(tǒng)穩(wěn)定性問題及其頻率補償方法。在此基礎上設計了一款響應速度快，穩(wěn)定性好的LDO電路并進行了仿真。論文在全面深入剖析了LDO線性穩(wěn)壓器產(chǎn)生系統(tǒng)不穩(wěn)定的各種因素后，著重討論了五種不同的解決LDO系統(tǒng)穩(wěn)定性問題的頻率補償方法，并對它們各自的優(yōu)缺點進行了充分的分析和對比。本文還特別討論了一種新型實用的頻率補償方法，這種方法和以往的頻率補償方法不同，它不需要電路外接ESR電阻進行頻率補償，而是在芯片內(nèi)部產(chǎn)生一個隨

2、負載電流變化的零點，從而實現(xiàn)了系統(tǒng)的主、次極點的分離，增加了系統(tǒng)的相位裕度，使系統(tǒng)更加穩(wěn)定。運用這種頻率補償法所設計出的LDO具有響應速度快，穩(wěn)定性好，節(jié)省空間等優(yōu)點，并且具有更高的負載調(diào)整率。本文采用此方法進行了實際的LDO電路的設計和仿真，采用標準的CSMC0.6μm CMOS工藝，電路的仿真分析基于BSIM3V3 Spice模型，仿真器為Hspice。仿真結(jié)果表明：這種新型實用的頻率補償方法實用有效，很好地解決了由負載電流變化所引

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