基于CMOS工藝的低壓差線性穩(wěn)壓器研究.pdf

1、近年來，隨著集成電路技術(shù)和電源管理技術(shù)的發(fā)展，低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）受到了普遍的關(guān)注，被廣泛應(yīng)用于便攜式電子產(chǎn)品如PDA、MP3播放器、數(shù)碼相機、無線電話與通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和測試儀器等中，但國內(nèi)研究起步晚，市場大部分被國外產(chǎn)品占有，因此，開展本課題的研究具有特別重要的意義。 首先，簡單闡述了課題研究的背景及意義，分析了低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）研究的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢，并提出了設(shè)計的預(yù)期技術(shù)指標(biāo)。 其次，詳細分析了LD

2、O線性穩(wěn)壓器的理論基礎(chǔ)，包括其結(jié)構(gòu)、各功能模塊的作用、系統(tǒng)工作原理、性能指標(biāo)定義及設(shè)計時對性能指標(biāo)之間相互矛盾的折衷考慮。 再次，設(shè)計了基于自偏置電流源的帶隙基準(zhǔn)電壓源，選取PMOS管作為系統(tǒng)的調(diào)整元件并計算出了其尺寸，設(shè)計了基于CMOS工藝的兩級誤差運算放大器。利用HSPICE工具仿真了基準(zhǔn)電壓源和誤差運算放大器的相關(guān)性能參數(shù)。 然后，重點分析了穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性特征，指出系統(tǒng)存在的潛在不穩(wěn)定性，詳細論述了穩(wěn)定性補償?shù)谋匾?/p>