Cu-SiO-,2--Si（111）體系的擴散和界面反應.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、 為了研究Cu/SiO2/Si體系中Cu和Si的互擴散、界面反應、金屬硅化物的形成及其性質和熱力學穩(wěn)定性；也為了給本課題組國家自然科學基金項目一“銅團簇束與硅作用成膜銅在硅中的擴散效應”提供可對比的數據，筆者進行了以下的工作：　 室溫下，利用磁控濺射在P型Si(111)襯底上沉積了銅膜。本工作得到了以下幾個有意義的結果：對于Cu/SiO2/Si(111)體系，當退火溫度高于450℃時，才產生明顯的擴散。隨著溫度的升高，擴散越明

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