VO-,2-薄膜生長及平面集成探測器陣列的設(shè)計(jì).pdf

1、在釩的氧化物中，VO、V2O3、VO2、V3O5、V6O13和V2O5具有溫度相變特性，當(dāng)材料溫度低于相變臨界溫度時(shí)，該材料顯示為半導(dǎo)體或者絕緣體的特性；而當(dāng)溫度高于其相變溫度時(shí)，該材料卻又顯示為金屬特性。以VO2材料而言，其典型的相變溫度發(fā)生在68 ℃，在相變溫度附近，隨著材料溫度的變化，其電阻率隨之發(fā)生顯著的變化，是目前用來制備8—12 mm長波紅外探測中非致冷微測輻射熱紅外探測器熱敏電阻的理想材料。
　　 本文采用高純金屬

2、釩靶，采用反應(yīng)直流磁控濺射沉積法制備VO2薄膜，并分析了襯底溫度、濺射氣氛等工藝參數(shù)對薄膜性能的影響。通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)襯底溫度是影響薄膜結(jié)晶狀況以及薄膜性能的重要因素之一，襯底溫度的變化直接影響薄膜的生長以及薄膜特性，隨著溫度的升高，薄膜晶粒尺寸逐漸變大，在濺射過程中各個(gè)價(jià)態(tài)的釩容易向高價(jià)態(tài)釩的氧化物轉(zhuǎn)換。氧分壓是影響薄膜結(jié)晶狀況和性能的另一個(gè)重要參數(shù)，在其他工藝參數(shù)相同的情況下，氧含量的不同將生成不同價(jià)態(tài)相的釩氧化物。
　　 完成

3、64×64陣列MTFET器件的設(shè)計(jì)，包括光刻掩膜版的設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、布局設(shè)計(jì)、器件的工藝流程設(shè)計(jì)以及采用微細(xì)加工工藝進(jìn)行器件的制作。采用四腿支撐結(jié)構(gòu)，在保證支撐的機(jī)械強(qiáng)度的前提下盡量減小熱導(dǎo)，同時(shí)極大地提高了器件的填充系數(shù)；采用底柵結(jié)構(gòu)，柵電極材料為金屬Al膜，利用其高反射率，同時(shí)可作為器件的紅外反射鏡面；采用α-SiN:H/VO2/α-SiN:H/Al/α-SiN:H結(jié)構(gòu)，通過對器件l/4共振吸收結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，得到MTFET器件8～