電誘發(fā)聽性腦干反應在人工耳蝸植入的研究及臨床應用.pdf

1、目的: 探索和研究人工耳蝸植入術前/中針電極刺激鼓岬或圓窗龕記錄電誘發(fā)聽性腦干反應(EABR)。 方法: 42例不同病因(包括耳蝸畸形、內聽道狹窄、腦白質異常、前庭導水管擴大綜合征等)、不同年齡的施行人工耳蝸植入的重度及極重度感音神經性耳聾患者，在全身麻醉下手術前/中進行電誘發(fā)聽覺腦干反應測試。電刺激儀采用人工耳蝸體外言語處理器連接改裝的人工耳蝸植入體。刺激電極包括鉑銥合金球電極、鼓岬刺激針電極和神經刺激套管針電

2、極三種。實驗分為三組(或三個階段)：第一組(階段)，共17例患者，使用球電極進行圓窗膜電刺激和鼓岬刺激針電刺激圓窗龕和/或鼓岬，球電極刺激作為對照，優(yōu)化針電極的刺激和記錄參數；第二組(階段)，共20例患者，在參數、方法等探索穩(wěn)定后，進行術中鼓岬刺激針和神經刺激套管針刺激鼓岬和圓窗龕記錄EABR；第三組(階段)，共5例患者，在第二組方法及刺激位置均摸索較成熟后，于術前鼓岬刺激針或神經刺激套管針經(跨)鼓膜刺激鼓岬或圓窗龕記錄EABR，同時

3、于手術中開放面隱窩后同一刺激針刺激同一位置，再次記錄EABR，并同經鼓膜結果作對照。 由人工耳蝸處理器連接植入體給予電刺激，Bio—logic Navigator Pro誘發(fā)電位儀記錄電誘發(fā)聽覺腦干反應。刺激電極放置方式和位置：1)手術中開放面隱窩后(植入人工耳蝸前)，在直視下用球電極刺激圓窗膜、鼓岬刺激針或神經刺激套管針刺激圓窗龕和鼓岬；2)手術開始前，用針電極經鼓膜在其圓窗龕投映區(qū)處穿刺，刺激圓窗龕或鼓岬。術中直視下的電刺激

4、位置包括圓窗龕底、圓窗龕上緣、前緣，并根據刺激位置將圓窗龕底分為一組，圓窗龕前緣、上緣分為一組，分別進行統(tǒng)計。植入后再次常規(guī)記錄EABR。摸索參數，建立方法，對比植入前與植入后獲得的波形特點，同時對比兩種刺激針所引出波形的特點及規(guī)律，并在部分特殊病例進行初步臨床應用。得到結果應用SPSS11.5統(tǒng)計軟件進行統(tǒng)計學分析。 結果: 第一組17例病人中，使用脈寬為50或75us的電脈沖，對所有病人分別進行球電極刺激圓窗膜和針電

5、極刺激圓窗龕或鼓岬，其中在球電極電刺激圓窗膜中17例全部引出波形，針電極刺激圓窗龕或鼓岬17例中僅有4例引出EABR波形。在此基礎上，對17例中的9例分別使用脈寬為50、75和200us的電脈沖，再行圓窗龕或鼓岬針電極刺激，在50/75us脈寬下，能引出EABR波形的為2例，而在200us的脈寬下9例均引出EABR波形。實驗發(fā)現，不同電極形式和刺激部位誘發(fā)的EABR結果存在差異，其中球電極誘發(fā)的EABR：Ⅴ波潛伏期平均為4.30±0.2

6、5ms，閾值為189.20±25.80CL，200us脈寬下針電極誘發(fā)的EABR：Ⅴ波潛伏期為4.50±0.39ms，閾值為170.23±13.50CL。Ⅴ波的引出率最高，其次是Ⅲ波，其余各波引出率不穩(wěn)定。但針電極刺激誘發(fā)出的EABR波形比球電極刺激誘發(fā)的波形分化差。在針電極刺激時，嘗試改變其它參數，如刺激速率、改用雙極刺激模式、疊加次數、增益以及調整高、低通濾波等均未對波形引出率產生明顯影響。 第二組所有20例患者植入前均記錄

7、到明確的電誘發(fā)聽性腦干反應波形，同一病人分別使用鼓岬針和神經刺激套管針進行電刺激8例，單獨使用神經刺激套管針3例，單獨使用鼓岬針電刺激8例，單獨使用神經刺激套管針的外殼針電極進行刺激1例。Ⅴ波全部引出，Ⅴ波潛伏期平均4.70±0.58ms；Ⅲ波有10例引出，潛伏期平均2.91±0.45ms，Ⅲ—Ⅴ間期2.01±0.38ms，反應平均閾值197.00±20.79CL，約相當于電流540uA。植入后有1例內聽道狹窄病人EABR波形分化不典型

8、，但NRT波形分化較好，其余19例植入后均獲得明確的電誘發(fā)聽性腦干反應波形，Ⅴ波引出19例，平均潛伏期4.65±0.67ms；Ⅲ波引出13例，平均潛伏期2.66±0.61ms，Ⅲ—Ⅴ間期2.09±0.51ms，平均反應閾值161.32±20.40CL，約相當于電流260uA。經統(tǒng)計學分析，植入前、植入后的Ⅲ波潛伏期、Ⅴ波潛伏期、Ⅲ—Ⅴ間期均P>0.05；術中不同刺激部位之間的Ⅴ波潛伏期、反應閾值均P>0.05；植入前鼓岬刺激針和神經刺激

9、套管針電極刺激的反應閾值比較P>0.05；在植入前和植入后，無殘余聽力病人和有殘余聽力病人的Ⅴ波潛伏期之間分別進行統(tǒng)計分析，均P>0.05；植入后50us和200us脈寬下分別記錄EABR，Ⅴ波潛伏期相比較，P>0.05，無統(tǒng)計學差別。植入前的反應閾值和植入后的反應閾值P<0.05，植入后50us和200us脈寬下分別記錄EABR閾值，統(tǒng)計分析結果為P<0.05，有統(tǒng)計學差別。植入前針電極刺激所需要的神經刺激電流量動態(tài)范圍較窄，平均約2

10、4.6CL，植入后約55CL。 第三組，5例患者手術前、手術中植入前、植入后均記錄出易于辨認的分化良好的波形，手術中同一位置同一刺激器再次記錄誘發(fā)出的EABR波形與經鼓膜刺激獲得的EABR波形重復性好，波形可靠，經鼓膜刺激的波形分化較手術中植入前同一位置的波形分化好。 結論: 1、人工耳蝸植入前，經鼓膜針電極刺激鼓岬或圓窗龕記錄EABR的方法是可行的，經鼓膜電刺激的EABR波形比術中植入前同一位置電刺激誘發(fā)的波形

11、分化好； 2、植入前針電極刺激鼓岬和圓窗龕記錄的EABR，波形分化較術后蝸內記錄的波形差，但波形引出率相似； 3、在人工耳蝸植入前行針電極刺激時，脈寬和刺激點的位置是決定能否引出EABR波形的最重要因素； 4、針電極刺激鼓岬或圓窗龕時，不同的位置之間以及同植入后蝸內刺激所引出的EABR波形可能會有差異，但總的閾值和潛伏期在統(tǒng)計學上無明顯差別； 5、不同脈寬下記錄EABR，潛伏期基本相同，但閾值不同，脈寬越