硅集成電路原理 范圍

1、張帆揚(yáng)帆☆逐月第一章(1)Si具有哪種晶格結(jié)構(gòu)常溫下帶隙值為多大金剛石結(jié)構(gòu)屬于面心立方常溫下帶隙值為1.1242eV(2)淺能級(jí)雜質(zhì)的定義，哪個(gè)主族的元素?fù)饺隨i中能形成n型淺能級(jí)雜質(zhì)？哪個(gè)主族的元素?fù)饺隨i中能形成p型淺能級(jí)雜質(zhì)？P16硅晶中的IIIIII族元素和族元素和VIVI族元素雜質(zhì)，它們作為受主和施主時(shí)，其族元素雜質(zhì)，它們作為受主和施主時(shí)，其電離能的大小并不一樣，但有一個(gè)共同的特點(diǎn)，就是電離能與禁帶電離能的大小并不一樣，但有一

2、個(gè)共同的特點(diǎn)，就是電離能與禁帶寬度相比都非常小。這些雜質(zhì)所形成能級(jí)在禁帶中很靠近價(jià)帶頂和寬度相比都非常小。這些雜質(zhì)所形成能級(jí)在禁帶中很靠近價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底，我們稱這樣的雜質(zhì)能級(jí)為淺能級(jí)雜質(zhì)。導(dǎo)帶底，我們稱這樣的雜質(zhì)能級(jí)為淺能級(jí)雜質(zhì)。VIVI族元素族元素IIIIII族元素族元素(3)深能級(jí)雜質(zhì)的定義，說(shuō)明深能級(jí)雜質(zhì)和缺陷的作用有哪些？一些摻雜半導(dǎo)體中的雜質(zhì)或缺陷在帶隙中引入的能級(jí)較深，被稱為一些摻雜半導(dǎo)體中的雜質(zhì)或缺陷在帶隙中引入的能級(jí)較深

3、，被稱為深能級(jí)雜質(zhì)。一般情況下深能級(jí)雜質(zhì)大多為多重能級(jí)深能級(jí)雜質(zhì)。一般情況下深能級(jí)雜質(zhì)大多為多重能級(jí)1)1)可以成為有效復(fù)合中心，大大降低載流子的壽命；可以成為有效復(fù)合中心，大大降低載流子的壽命；2)2)可以成為非輻射復(fù)合中心，影響半導(dǎo)體的發(fā)光效率；可以成為非輻射復(fù)合中心，影響半導(dǎo)體的發(fā)光效率；3)3)可以作為補(bǔ)償雜質(zhì)，大大提高半導(dǎo)體材料的電阻率。可以作為補(bǔ)償雜質(zhì)，大大提高半導(dǎo)體材料的電阻率。(4)能夠計(jì)算SiGe的體原子密度和線密度.

4、原子密度＝晶胞中包含原子個(gè)數(shù)原子密度＝晶胞中包含原子個(gè)數(shù)晶胞體積晶胞體積硅晶體中的原子密度為：硅晶體中的原子密度為：8a3=51022cm3鍺晶體中的原子密度為：鍺晶體中的原子密度為：Ge=4.421022cm3線密度：張帆揚(yáng)帆☆逐月?網(wǎng)絡(luò)形成者的概念P24可以替代SiO2網(wǎng)絡(luò)中硅的雜質(zhì)，也就是能代替SiO四面體中心的硅、并能與氧形成網(wǎng)絡(luò)的雜質(zhì)，稱為網(wǎng)絡(luò)形成者。?能夠闡述熱氧化的基本過(guò)程氧化劑擴(kuò)散穿過(guò)附面層到達(dá)氣體－氧化劑擴(kuò)散穿過(guò)附面層