硅微波單片集成電路技術(shù)研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、微波單片集成電路Microwave Monolithic Integrated Circuit 簡稱MMIC，是隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，特別是離子注入水平的提高和雙極晶體管自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù)的成熟而出現(xiàn)的一類高頻器件。微波單片集成電路相比混合集成電路的優(yōu)點(diǎn)是：體積小，成本低；電性能一致性好，電路不需調(diào)整，使用方便，便于批量生產(chǎn)；可靠性高，壽命長。未來的MMIC應(yīng)用逐漸向著寬頻帶、高增益、多功能方向發(fā)展。
　　 本文以硅微波電路和硅微波

2、雙極晶體管的理論為基礎(chǔ)，對(duì)硅微波低噪聲放大器單片電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)和研制。單片電路結(jié)構(gòu)采用三級(jí)級(jí)聯(lián)放大方案：第一級(jí)控制噪聲，后兩級(jí)組成達(dá)林頓結(jié)構(gòu)提高增益。通過理論計(jì)算推導(dǎo)出單片電路中各個(gè)電阻值，之后建立了雙極晶體管的模型，再利用ADS軟件對(duì)電路進(jìn)行了仿真和優(yōu)化；研制過程中采用了雙層外延、隔離槽工藝、等平面自對(duì)準(zhǔn)亞微米制造工藝等一系列的先進(jìn)工藝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了MMIC 高增益、寬頻帶的特性。在VCC=5.5V,I=16mA的工作條件下，得到的硅微

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