光纖光纜生產(chǎn)工藝及設備

1、第五章光纖光纜制造工藝及設備重點內容重點內容:原料提純工藝、預制棒汽相沉積工藝、拉絲工藝、套塑工藝、余長形成、松套水冷、絞合工藝、層絞工藝難點難點:汽相沉積工藝參數(shù)確定、拉絲環(huán)境保護、余長的控制、梯度水冷的控制、絞合參數(shù)的選擇主要內容主要內容:（1）光纖制造工藝(2)纜芯制造工藝（成纜工藝）二次套塑纜芯光纖原料制備及提純質量檢測與控制光纖預制棒熔煉及表面處理合格光纖拉絲及一次涂覆工藝二次涂覆工藝光纖張力篩選及著色工藝中心管式單元帶狀光纖

2、緊套光纖松套光纖層絞式單元加強件張力篩選合格一次著色光纖性能檢測骨架式纜芯單元光纖防水油膏光纖防水石油膏絞合機光纜油膏阻水帶包扎帶填充繩光纖防水油膏性能檢測是各種光纜的基本制造工藝流程是基本相同的。成纜工藝首先要做兩方面的準備并應注意這樣幾點技術要點：（1）選擇具有優(yōu)良傳輸特性的光纖，此光纖可以是單模光纖也可以是多模光纖，并對光纖施加相應應力的篩選，篩選合格之后才能用來成纜；（2）對成纜用各種材料，強度元件，包扎帶，填充油膏等進行抽樣檢

3、測，100％的檢查外形和備用長度，同時，按不同應用環(huán)境，選擇專用的成纜材料。（3）在層絞結構中要特別注意絞合節(jié)距和形式的選擇，要合理科學，作到在成纜、？設和使用運輸中避免光纖受力。（4）在骨架式結構中注意光纖置入溝槽時所受應力的大小，保證光纖既不受力也不松馳跳線。（5）中心管式結構中特別注意中心管內部空間的合理利用，同時注意填充油膏的壓力與溫度的控制。5.0.3光纜外護套擠制工藝的技術要點光纜外護套擠制工藝的技術要點根據(jù)不同使用環(huán)境，選

4、擇不同的護套結構和材料，并要考慮？設效應和老化效應的影響。在擠制內外護套時，注意擠出機的擠出速度、出口溫度與冷卻水的溫度梯度、冷卻速度的合理控制，保證形成合理的材料溫度性能。對于金屬鎧裝層應注意鎧裝機所施加壓力的控制。5.1光纖原料、制備與提純工藝光纖原料、制備與提純工藝5.1.1光纖原料特點光纖原料特點1SiO2光纖原料試劑與制備制備SiO2石英系光纖的主要原料多數(shù)采用一些高純度的液態(tài)鹵化物化學試劑，如四氯化硅（SiCl4）四氯化鍺（

5、GeCl4），三氯氧磷（POCl3）三氯化硼（BCl3）三氯化鋁（AlCl3）溴化硼（BBr3），氣態(tài)的六氟化硫（SF6）四氟化二碳(C2F4)等。這些液態(tài)試劑在常溫下呈無色的透明液體，有刺鼻氣味，易水解，在潮濕空氣中強烈發(fā)煙，同時放出熱量，屬放熱反應。以SiCl4為例，它的水解化學反應式如下：SiCl42H2O4HClSiO2(511)SiCl44H2OH4SiO44HCl(512)由于鹵化物試劑的沸點低，SiCl4試劑的沸點在57.

6、6℃，故易汽化，故提純工藝多采用汽相提純。SiCl4的化學結構為正四面體，無極性，與HCl具有同等程度的腐蝕性，有毒。SiCl4是制備光纖的主要材料，占光纖成分總量的85％～95％。SiCl4的制備可采用多種方法，最常用的方法是采用工業(yè)硅在高溫下氯化制得粗SiCl4，化學反應如下：Si2Cl2SiCl4(513)該反應為放熱反應，反應爐內溫度隨著反應加劇而升高，所以要控制氯氣流量，防止反應溫度過高，生成Si2Cl6和Si3Cl8。反應生