LDMOS功率管金屬電極結(jié)構(gòu)及工藝設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf_第1頁(yè)
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1、LDMOS功率管廣泛應(yīng)用于雷達(dá)探測(cè)領(lǐng)域，比如:機(jī)載、艦載、陸基相控陣?yán)走_(dá)等領(lǐng)域。芯片電極是工作電流與微波信號(hào)的通道，也是整個(gè)LDMOS功率器件互聯(lián)的關(guān)鍵元素，電極的質(zhì)量直接影響到LDMOS器件的性能優(yōu)劣。
　　本文主要論述了金屬電極系統(tǒng)完整的制作工藝，并利用濺射工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)各層金屬的淀積，并且實(shí)際應(yīng)用到LDMOS功率器件的制程中。文中首先詳細(xì)敘述了金屬硅化物制作的工藝技術(shù)，對(duì)比實(shí)驗(yàn)獲得硅化鈷制作工藝方案，且其方塊電阻達(dá)到(1～3)Ω

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