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1、低介電常數(shù)材料的特點(diǎn)、分類及應(yīng)用胡揚(yáng) 摘要: 本文先介紹了低介電常數(shù)材料(Low k Materials)的特點(diǎn)、分類及其在集成電路工藝中的應(yīng)用。指出了應(yīng)用低介電常數(shù)材料的必然性,舉例說(shuō)明了 低介電常數(shù)材料依然是當(dāng)前集成電路工藝研究的重要課題,并展望了其發(fā)展前景。正文部分綜述了近年研究和開發(fā)的low k材料,如有機(jī)和無(wú)機(jī)低k材料,摻 氟低k材料,多孔低k材料以及納米低k材料等,評(píng)述了納米尺度微電子器件對(duì)低k薄膜材料的要求。 最后特別
2、的介紹了一種可能制造出目前最小介電常數(shù)材料的技術(shù): Air-Gap。關(guān)鍵詞:低介電常數(shù);聚合物;摻氟材料;多孔材料;納米材料 ;Air-Gap1.引言隨著ULSI器件集成度的提高,納米尺度器件內(nèi)部金屬連線的電阻和絕緣介質(zhì)層的電容所形成的阻容造成的延時(shí)、串?dāng)_、功耗就成為限制器件性能的主要因素,微電子器件正經(jīng)歷著一場(chǎng)材料的重大變革:除用低電阻率金屬(銅)替代鋁,即用低介電常數(shù)材料取代普遍采用的SiO2(k:3.9~4.2)作介質(zhì)層。對(duì)其工藝
3、集成的研究,已成為半導(dǎo)體ULSI工藝的重要分支。 這些低k材料必須需要具備以下性質(zhì): 在電性能方面:要有低損耗和低泄漏電流;在機(jī)械性能方面:要有高附著力和高硬度;在化學(xué)性能方面:要有耐腐蝕和低吸水性;在熱性能方面:要有高穩(wěn)定性和低收縮性。2.背景知識(shí)低介電常數(shù)材料大致可以分為無(wú)機(jī)和有機(jī)聚合物兩類。目前的研究認(rèn)為,降低材料的介電常數(shù)主要有兩種方法:3使材料的某些性能有所差異。例如用PECVD制備的SiCOH薄膜,k值可由先前的2.4降至
4、2.1,若將它在400 ℃下進(jìn)行4 h的后期退火,可進(jìn)一步降低k值至1.95。通過(guò)對(duì)沉積方法的選擇和對(duì)沉積參數(shù)的優(yōu)化,能得到更符合要求的低介材料薄膜。3.正文下面將按順序介紹 5 種低 K 材料: 3.1有機(jī)低k材料有機(jī)低k材料種類繁多,性質(zhì)各異,其中以聚合物低k材料居多。重點(diǎn)介紹聚酰亞胺。聚酰亞胺(PI)是一類以酰亞胺環(huán)為結(jié)構(gòu)特征的高性能聚合物材料,介電常數(shù)為 3.4 左右,摻入氟,或?qū)⒓{米尺寸的空氣分散在聚酰亞胺中,介電常數(shù)可以降至
5、 2.3~2.8。介電損耗角正切值為 10-3,介電強(qiáng)度為 1~3 MV/cm,體電阻率為1017 Ω·cm。這些性能在一個(gè)較大的溫度范圍和頻率范圍內(nèi)仍能保持穩(wěn)定。聚酰亞胺薄膜具有耐高低溫特性和耐輻射性、優(yōu)良的電氣絕緣性、粘結(jié)性及機(jī)械性能。聚酰亞胺復(fù)合薄膜還具有高溫自粘封的特點(diǎn)。聚酰亞胺低k材料目前已廣泛應(yīng)用于宇航、電機(jī)、運(yùn)輸工具、常規(guī)武器、車輛、儀表通信、石油化工等工業(yè)部門。它可作耐高溫柔性印刷電路基材,也可以作為扁平電路、
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