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文檔簡介
1、本文圍繞ZnO納米結構的制備及其表面調控開展了如下研究工作:采用原子層沉積法(ALD)于襯底上生長 ZnO薄膜層作為籽晶層;再利用水熱法制備出具有六方纖鋅礦結構且沿c軸取向的高質量ZnO納米線陣列,并獲得了高效紫外發(fā)光;通過兩步法引入S元素對ZnO納米線進行表面修飾改性,獲得ZnO/ZnS核殼結構的納米線;ZnO/ZnS納米線的近帶邊紫外發(fā)光強度顯著增強,達到原生ZnO納米線的2.5倍,同時伴隨著樣品可見區(qū)(深能級)的發(fā)射帶幾乎被完全淬
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