
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文檔簡介
1、ZnO作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料已經(jīng)得到廣泛研究。通過制備不同形貌 ZnO納米材料、ZnO基復(fù)合材料可以充分利用納米材料的優(yōu)點,從而改善 ZnO材料的性能。本論文主要工作內(nèi)容如下:
?。?)采用溶劑熱法,通過調(diào)節(jié)水和乙醇混合液的比例制備了多種形貌的ZnO微米結(jié)構(gòu)。從我們的實驗上可以得出結(jié)論:ZnO的光學(xué)性質(zhì)與其展現(xiàn)的形貌息息相關(guān),形貌差異能夠引起 ZnO局部的結(jié)晶質(zhì)量不同,界面上的缺陷情況,材料表面的電荷分布等差異,以上因素的協(xié)
2、同作用最終影響了材料的光學(xué)性質(zhì)。
?。?)通過簡單無催化的低溫水浴方法合成多枝ZnO納米/微米結(jié)構(gòu),這種由梭形納米/微米棒主干組成的納米/微米結(jié)構(gòu)周圍圍繞著六個徑向?qū)虻姆种?。本文分析了其光學(xué)性質(zhì)并詳盡地探討了可能的生長機理。
?。?)利用操作簡單的電化學(xué)沉積法制備海膽狀ZnO/In2O3納米復(fù)合結(jié)構(gòu)。退火后復(fù)合材料結(jié)晶性改善的同時,紫外發(fā)光增強,并在443nm觀測到與ZnO/In2O3納米復(fù)合結(jié)構(gòu)界面有關(guān)的發(fā)光峰。
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