Zn2GeO4納米結(jié)構(gòu)的可控生長、氮化處理及物性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO是一種寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體材料。室溫下禁帶寬度為3.37eV，激子束縛能為60meV，具有在近紫外發(fā)光、光學(xué)透明性、電子傳導(dǎo)、壓電性等獨特性質(zhì)，而成為重要的功能材料。Zn2GeO4是一種新型Ⅳ-Ⅵ族寬禁帶三元化合物半導(dǎo)體材料。在兼顧ZnO、GeO2材料性能的同時，具有帶隙連續(xù)可調(diào)的特點。
　　本文利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)，采用Au和ZnO籽晶層作為催化劑，在Si襯底上合成直立性良好的三元Zn2GeO4納米結(jié)構(gòu);利用水熱法

2、在無襯底的情況下制備出了花狀的三元Zn2GeO4納米花型結(jié)構(gòu)。進一步對利用CVD方法采用不同催化劑制備的Zn2GeO4生長過程進行分析，二者分別遵循的是氣-液-固(VLS)和氣-固(VS)生長機制。我們通過改變實驗過程中各種元素的比例及生長距離等條件制備出了面條狀的和直立陣列和花狀的Zn2GeO4納米結(jié)構(gòu)。分別采用X射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電鏡（TEM）和光致發(fā)光(PL)等測試手段對樣品的形貌、晶體結(jié)構(gòu)和光學(xué)性

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