CO和CH-,3-OH在Pt族金屬上吸附和反應的電化學原位拉曼光譜研究.pdf

1、廈門大學碩士學位論文CO和CHOH在Pt族金屬上吸附和反應的電化學原位拉曼光譜研究姓名：李筱琴申請學位級別：碩士專業(yè)：物理化學指導教師：田中群19981201摘型( 1 ) 我們利用S E R S 技術(shù)在檢測低波數(shù)區(qū)盤屬和吸附物振動信息的優(yōu)勢，獲到低波數(shù)區(qū)穰強戇摹端設辮C O 弱P t - C 掇渤峰。在筑覆蓋疫下，我韜霹褥囂袋于～1 8 1 0c n f l的譜峰，在以往的其它譜學方法研究中一宜對該峰的歸屬( 橋式戲多位吸附的c o

2、) 存在不同麓瓣法，蠢投據(jù)與該蟪羈列出蟪麴憾渡數(shù)區(qū)4 1 0 + 4 3 0c n l o 麴譜蝰，我餐可戮肯定～1 8 1 0c l l f ‘的譜峰為橋式吸附C O ，這表明了獲锝低波數(shù)區(qū)信號的重要蝕。( 2 ) 與單端吸附C O 的C - O 振動蝰捃比，P t - C 攘糖蜂的頻率翱半蜂懋對周弱環(huán)境如覆蓋度、電位攤的變化較不敏感。例如在H 2 S 0 4 介質(zhì)中，C ．0 峰和P t ．C 峰的S t a r k效應壤分期為2

3、5 - 3 0 a n 。1 ／v 和一4 一。5c n l ～／V ，其原因楚當電位難移時，從P t 擐子的5 d軌道上的電子反饋到C O 分子的礦反鍵軌道減小，削弱P t ．C 鍵，而C O 的5 d 軌道上的電子饋送到金麟表面的作用增加，加強P t * C 鍵，兩種作用大致相等，因此P t - C 鍵隨電位的變化很小。( 3 ) 根據(jù)仔細分析在H 2 S O 一介質(zhì)中，C O 牲粗糙和光滑P t 電極上氧化時，單端吸附C O 酌攆

4、動頻率隧電位改交的明顯不嗣，我銷推濺O 在耱糙和巍滑P t 毫飯上氧純行先不同：在粗糙P t 電極上．C O 的氯化是均勻地在C O 吸附層中進行的；而在光滑P t窀壤土，C O 的轆銫剝是簌C O 強辯層靜鑫狀透緣逡囂。這主鬻楚蠹予糕糙弱魏表蠹有較多的表面缺陷如拐角、邊緣和臺階等表嘲缺陷，而光滑P t 電極上則有較多的平臺，C O 在這些整霉土瓣蔽臻耱戴純霉麓苓霹，麩囂影嚷了C O 在壤糙囂斃攆致電掇上豹氧化行為。《4 ) 必了辮釋C

5、 O 鷯振動攘率明駐受型濤滾爨蕊豹影響，我{ } j 設計了簸{ 耋“酸堿滴定”密驗，并融此推測O H “ 和C O 的共吸附模式根可能是C O 強吸附在電極表面，藹O H $ 用于C O 閫踩之蛹，其O 蝣朝淘電壤表面，蜓并不與P t 發(fā)生強烈的相互傳羽。氣二、c o 農(nóng)R I a 薄層上吸附豹拉曼光譜研究、 ，弋在上述純過渡金屬的寢面拉曼光譜實驗中，為獲得較高質(zhì)量的譜圈往往必須采用長酵溺聚譜，。纂鼉：輟糙A u 兵毒鞍強豹S E R