金-硫醇及類硫醇單層膜的電化學(xué)研究.pdf_第1頁(yè)
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1、用交流阻抗譜對(duì)自組裝金/硫醇單層膜進(jìn)行了研究.討論了隨著金電極在硫醇溶液中浸泡時(shí)間的增長(zhǎng),單層膜覆蓋度的變化規(guī)律,得出了金/硫醇單層膜組裝動(dòng)力學(xué)模型.單層膜覆蓋θ與組裝時(shí)間t的關(guān)系表明,整個(gè)自組裝過(guò)程由兩個(gè)明顯的吸附步驟組成.在開(kāi)始的快速吸附步驟中,硫醇膜覆蓋度從0迅速增大到極限值的99﹪.從電化學(xué)基本理論和電子隧穿理論出發(fā),推導(dǎo)出凹陷點(diǎn)缺陷覆蓋度與硫醇膜厚的一般關(guān)系,討論了表觀電子轉(zhuǎn)移速率常數(shù)對(duì)此圖的影響,用硫醇單層膜的平均膜厚來(lái)表征

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