金-席夫堿自組裝單層膜電化學行為研究.pdf

1、河北師范大學碩士學位論文金/席夫堿自組裝單層膜電化學行為研究姓名：田娜申請學位級別：碩士專業(yè)：物理化學指導教師：童汝亭2002.5.1l塑! ! 些型查蘭塑! ：蘭竺堡蘭電勢使席夫堿膜的表觀電化學反應電阻增大。這可能是由于席夫堿分子問存在的某種“聚集作用”，在外加極化電勢作用下受到了一定程度的破壞，并使“分子聚集團”周圍倒伏的分子趨于直立、趨向有序化。， 這說明該席夫堿膜的結構是受電場影響的，從而為研究席夫堿在不同電場中的行為提供了新的

2、思路。，1 廠一在上述實驗的基礎上，我們避而對席夫堿與C u 2 + 的作用進行了檢． ／測。f 實驗結果如下：＼1 ． 其阻抗譜圖表明了席夫堿膜電極與C u “有相互作用，這種作用使席夫堿分子膜電極表觀電化學反應電阻減小，并總結出作用過程可分為快慢兩個階段。2 ． 在席夫堿膜填充十八硫醇的情況下，我們得出了c u 2 + 與席夫堿分子作用時，可能是每個C u 2 t 與它周圍的幾個席夫堿分子同時作用，并且這種作用需要一定的空間。3 ．

3、通過席夫堿分子膜電極與不同濃度的C u 2 + 的作用，我們得到一條線性關系很好的直線，因此金／席夫堿單層膜電極有望實現(xiàn)對c u 2 + 的定量檢測。r席夫堿分子中含C = N ，可被還原，因此我們又用交流阻抗和循環(huán)伏安技術對席夫堿的還原性質(zhì)進行了研究。映驗結果如下：1 ．用循環(huán)伏安和交流阻抗法測定發(fā)現(xiàn)席夫堿中的C = N 可以被還原，且此反應為近似不可逆：隨著膜中C = N 含量的減少，循環(huán)伏安圖中還原峰電流減小，而在阻抗譜圖中，膜的