GaAs-GaInP應(yīng)變補(bǔ)償超晶格的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備.pdf

1、學(xué)號(hào)：學(xué)號(hào)：S13010066碩士學(xué)位論文碩士學(xué)位論文GaAsGaInP應(yīng)變補(bǔ)償超晶格的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備應(yīng)變補(bǔ)償超晶格的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備研究生姓名：研究生姓名：李尚樺李尚樺學(xué)科、專業(yè)：學(xué)科、專業(yè)：物理電子學(xué)物理電子學(xué)二○一六○一六年三月三月長(zhǎng)春理工大學(xué)碩士（或博士）學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明長(zhǎng)春理工大學(xué)碩士（或博士）學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的碩士（或博士）學(xué)位論文，《GaAsGaInP應(yīng)變補(bǔ)應(yīng)變補(bǔ)償超晶格的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備償超晶格的結(jié)構(gòu)

2、設(shè)計(jì)與制備》是本人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下，獨(dú)立進(jìn)行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品成果。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。作者簽名：年月日長(zhǎng)春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書長(zhǎng)春理工大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者及指導(dǎo)教師完全了解“長(zhǎng)春理工大學(xué)碩士、博士學(xué)位論文版權(quán)使用規(guī)定”，同意長(zhǎng)春理工大學(xué)