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文檔簡介
1、為消除電子器件內(nèi)固體接觸界面的接觸熱阻,通常在界面間填充熱界面材料(TIM)。填充后,界面處仍然形成了固-TIM-固三層結(jié)構(gòu),產(chǎn)生較大的熱阻Rj。Rj包括兩部分:TIM體熱阻Rbulk和TIM-固接觸熱阻Rc。因此,影響Rj的因素有:TIM熱導(dǎo)率(kTIM),TIM厚度(BLT)和Rc。目前,工業(yè)中為提高kTIM,在TIM中填充新型的導(dǎo)熱顆粒,然而簡單的填充方法無法充分利用新型顆粒的形狀和導(dǎo)熱特性,導(dǎo)致kTIM提升不明顯。另外,工業(yè)中需
2、準(zhǔn)確預(yù)估體熱阻Rbulk和接觸熱阻Rc值,但是,目前缺乏BLT和Rc的預(yù)測模型或測試手段。針對上述總結(jié)的問題,本文展開了如下研究工作:
TIM屬于復(fù)合材料,詳細(xì)研究了經(jīng)典復(fù)合材料熱傳導(dǎo)模型,包括Maxwell-Garnett(M-G)模型,Bruggeman非對稱(BA)模型,平均介質(zhì)近似(EMA)模型和有限差分(FD)模型。理論研究表明,顆粒的微結(jié)構(gòu)(排布和分布)和顆粒/母體間界面熱導(dǎo)(Gint)是影響復(fù)合材料導(dǎo)熱性的關(guān)鍵因
3、素。基于此,本文提出了幾種TIM制備工藝,通過調(diào)控微結(jié)構(gòu)或界面熱導(dǎo),提升TIM導(dǎo)熱性。
為使TIM中形成理想微結(jié)構(gòu),借助磁響應(yīng)填充顆粒,通過特定的磁場控制顆粒在TIM中成型。磁響應(yīng)顆粒的制備方法是:以六方氮化硼(h-BN)為導(dǎo)熱顆粒,將順磁性納米四氧化三鐵(Fe3O4)顆粒通過靜電力法附著在h-BN表面,得到具有磁性的h-BN@Fe3O4復(fù)合顆粒。接著,通過磁場控制h-BN@Fe3O4在TIM中的排布方向或者位置。由此制得的T
4、IM展現(xiàn)出良好的導(dǎo)熱性。
為增大顆粒/母體界面熱導(dǎo)Gint,借助自組裝分子膜(SAM)對界面進(jìn)行改性。對于銅/樹脂界面,采用的SAM為巰基-十一胺鹽酸鹽,SAM一端的巰基和銅形成硫-銅共價鍵,另一端的氨基能打開環(huán)氧樹脂的環(huán)氧基團(tuán)形成共價鍵。改性后,Gint增大11倍。
基于圖像測距原理,搭建了一個非接觸式測長系統(tǒng),用于測量BLT。測試精度控制在±3.5μm左右。建立了一個Rc預(yù)測模型。為驗(yàn)證模型,搭建了一個熱界面測試
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