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文檔簡介
1、半導體TiO2光催化技術是一種高效的污染控制技術，在解決環(huán)境污染方面具有廣泛的應用前景。利用窄帶隙半導體修飾有序TiO2納米管陣列，可以提高光生電子與空穴的分離效率。本論文制備了TiO2納米管陣列電極和CdS/TiO2納米管陣列電極，并利用SEM、XRD、XPS、UV/vis等測試手段對其結(jié)構(gòu)及光電性能進行表征分析并對其光催化性能進行比較。制備AC/PTFE電極，分別以鉑電極和AC/PTFE電極為陰極建立光電催化體系，考察光電協(xié)同降解污
2、染物的作用機理。
采用陽極氧化法制備TiO2納米管陣列，研究陽極氧化電壓、電解液組成、陽極氧化時間等因素對光催化性能的影響。結(jié)果表明，最佳制備條件為恒壓25V，0.5g NH4F和1.0mol/L Na2SO4的混合溶液，氧化時間120min,退火溫度450℃，退火時間120min。光照60min，對羅丹明B的降解率可達60.8％。
采用陰極電沉積法制備CdS/TiO2納米管陣列，研究陰極沉積電壓、沉積時間、
3、電解液組成等因素對CdS/TiO2納米管陣列光催化性能的影響。結(jié)果表明:最佳制備條件為沉積電壓為0.8V，0.1mol/L氯化鎘與0.06mol/L硫代乙酰胺的混合溶液，沉積時間30min。光照60min，對羅丹明B的降解率可達72.6％。
在外加偏壓為2.0V，電解液初始pH值為7.5，電解質(zhì)Na2SO4濃度為0.1mol/L時，四種光電催化體系的羥基自由基含量為CdS/TiO2納米管陣列-AC/PTFE＞CdS/TiO
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