GaN缺陷表面及其對TiO2吸附影響的理論研究.pdf

1、四川師范大學(xué)學(xué)位論文獨創(chuàng)性聲明本人聲明：所呈交學(xué)位論文魚型筮隆麥畫拯墓盟墅Q 2 ．噬瞪毖墮的堡途嬰究 ，是本人在導(dǎo)師揚壹熬援 指導(dǎo)下，獨立進行研究工作所取得的成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本論文不含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的作品或成果。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體，均己在文中以明確方式標(biāo)明。本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。本人承諾：已提交的學(xué)位論文電子版與論文紙本的內(nèi)容一致。如因不符而引起的學(xué)術(shù)聲譽匕的損失由本人自負(fù)

2、。學(xué)位論文作者： 五P 們答 簽字日期：加侈年r 月弓1 日四川師范大學(xué)學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本人同意所撰寫學(xué)位論文的使用授權(quán)遵照學(xué)校的管理規(guī)定：學(xué)校作為申請學(xué)位的條件之一，學(xué)位論文著作權(quán)擁有者須授權(quán)所在大學(xué)擁有學(xué)位論文的部分使用權(quán)，即：1 ) 已獲學(xué)位的研究生必須按學(xué)校規(guī)定提交印刷版和電子版學(xué)位論文，可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫供檢索；2 ) 為教學(xué)、科研和學(xué)術(shù)交流目的，學(xué)?？梢詫⒐_的學(xué)位論文或解密后的學(xué)位論文作為資