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
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1、在超高速應(yīng)用中,傳統(tǒng)的并行通信技術(shù)由于自身的非理想因素遭遇瓶頸,逐漸被傳輸速率更快、成本更低的串行通信技術(shù)取代。時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)電路(CDR)是接收系統(tǒng)的核心單元,從接收到的伴有抖動(dòng)的數(shù)據(jù)流中恢復(fù)出低抖動(dòng)的時(shí)鐘,為后續(xù)電路提供時(shí)鐘信號(hào),并利用該時(shí)鐘對(duì)數(shù)據(jù)流再定時(shí),恢復(fù)出眼圖清晰的數(shù)據(jù)信號(hào)供后續(xù)電路處理。
本文采用TSMC65nm LP CMOS工藝設(shè)計(jì)了基于PLL型40Gb/s SerDes系統(tǒng)的半速率Bang-BangCDR,主
2、要包括:正交壓控振蕩器(QVCO)、半速率Bang-Bang鑒相器(BBPD)、環(huán)路濾波器和緩沖器等關(guān)鍵模塊。本次設(shè)計(jì)的目標(biāo)是在減小芯片面積的基礎(chǔ)上降低功耗,主要是從模塊結(jié)構(gòu)選擇與改進(jìn)和電路參數(shù)上進(jìn)行優(yōu)化。在理論上,本文詳細(xì)分析了Bang-Bang CDR抖動(dòng)特性,詳細(xì)推導(dǎo)了抖動(dòng)傳輸、抖動(dòng)容限和抖動(dòng)產(chǎn)生指標(biāo)與環(huán)路參數(shù)的關(guān)系,并提出Bang-Bang CDR的設(shè)計(jì)流程。在電路設(shè)計(jì)上,QVCO由兩個(gè)相同的尾電流偏置型NMOS交叉耦合對(duì)的LC
3、-VCO反相耦合構(gòu)成,以減小寄生參數(shù)和工作在更高的頻率,并對(duì)LC諧振腔的Q值、VCO調(diào)諧范圍與線(xiàn)性度進(jìn)行優(yōu)化。對(duì)半速率BBPD結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),以提高正交時(shí)鐘信號(hào)負(fù)載的對(duì)稱(chēng)性并減小正交時(shí)鐘信號(hào)的負(fù)載電容。其中,鎖存器采用偽差分結(jié)構(gòu)以提高電路工作速度,時(shí)鐘管采用高閾值管以實(shí)現(xiàn)電路級(jí)聯(lián),并對(duì)其中的D觸發(fā)器結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),降低功耗的同時(shí)提高電路工作速度。同時(shí),BBPD中的異或門(mén)采用對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu),消除了兩輸入信號(hào)路徑不對(duì)稱(chēng)問(wèn)題,并與電流比較器構(gòu)成對(duì)稱(chēng)的電
4、流傳輸結(jié)構(gòu),取代了傳統(tǒng)的電壓傳輸結(jié)構(gòu),提高整體電路的工作速度。在版圖設(shè)計(jì)上,采用深N阱等技術(shù)以減小噪聲耦合干擾,優(yōu)化抖動(dòng)性能。
后仿真結(jié)果表明:在TT工藝角下,QVCO可實(shí)現(xiàn)19.37GHz-20.71GHz的調(diào)諧范圍,在20GHz附近可實(shí)現(xiàn)相位噪聲為-102.53dBc/Hz@1MHz,正交時(shí)鐘信號(hào)相位差為90.95°;CDR實(shí)現(xiàn)了正確的時(shí)鐘恢復(fù)和1∶2數(shù)據(jù)分接,其中,時(shí)鐘抖動(dòng)為1.844ps(0.037UI),數(shù)據(jù)抖動(dòng)為3
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