雙層金屬腔體屏蔽效能的理論研究.pdf

1、隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，各種電子設(shè)備復(fù)雜程度越來(lái)越高，往往將屏蔽腔體分成若干個(gè)空間。另外，系統(tǒng)的高度集成化和復(fù)雜化使得大量電子設(shè)備被設(shè)計(jì)共存于一個(gè)緊湊微小的空間中，雖然彼此被劃分到不同的區(qū)域，但是由于電磁環(huán)境變得日益復(fù)雜和孔縫的普遍存在，各電子設(shè)備之間相互干擾，其中近場(chǎng)干擾問(wèn)題尤為突出。不同于遠(yuǎn)場(chǎng)干擾，近場(chǎng)干擾具有很大的波動(dòng)性和多變性，為電磁場(chǎng)孔縫耦合問(wèn)題的研究增加了難度，使得屏蔽體的設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜。
　　本文將相鄰腔體之間的電磁

2、泄漏看作近場(chǎng)干擾，研究了雙層金屬腔體的近場(chǎng)屏蔽效能問(wèn)題。首先，提出了一種計(jì)算雙層金屬腔體近場(chǎng)屏蔽效能的解析理論模型。該模型先將近場(chǎng)干擾等效為外層腔體中的電偶極子，進(jìn)而基于Bethe小孔耦合理論得到孔縫處的等效磁偶極矩和電偶極矩，最后通過(guò)等效磁偶極子場(chǎng)和電偶極子場(chǎng)以及腔體的格林函數(shù)得到內(nèi)層腔體的電場(chǎng)分布，計(jì)算目標(biāo)點(diǎn)的屏蔽效能。該模型可以考慮目標(biāo)點(diǎn)位置、場(chǎng)源位置、孔縫位置和形狀以及腔體電導(dǎo)率等因素對(duì)屏蔽效能的影響。接著，提出了一種計(jì)算帶有電

3、容窗結(jié)構(gòu)的雙層金屬腔體近場(chǎng)屏蔽效能的混合理論模型。該模型先將電容窗看成矩形窄縫或者矩形寬縫，并分別利用等效磁偶極子法和矩量法得到內(nèi)層腔體的電場(chǎng)分布，計(jì)算目標(biāo)點(diǎn)的屏蔽效能。該模型可以考慮目標(biāo)點(diǎn)位置、電容窗間距以及電容窗中心點(diǎn)位置等因素對(duì)屏蔽效能的影響。最后，提出了一種計(jì)算內(nèi)置條狀金屬板的雙層金屬腔體近場(chǎng)屏蔽效能的解析理論模型。該模型同樣先基于Bethe小孔耦合理論得到孔縫處的等效偶極矩，進(jìn)而通過(guò)等效偶極子場(chǎng)和推廣的腔體格林函數(shù)得到內(nèi)層腔體