氫鈍化對(duì)Ⅲ-Ⅴ族氮化物量子點(diǎn)電子結(jié)構(gòu)的影響.pdf_第1頁(yè)
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1、在半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)和薄膜表面的理論研究中，贗氫經(jīng)常被用來(lái)鈍化表面的懸掛鍵.眾所周知，由于量子限制效應(yīng)，半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)有著比體材料更大的帶隙.本文基于密度泛函理論，研究了氫鈍化對(duì)氮化物量子點(diǎn)電子結(jié)構(gòu)的影響，并詳細(xì)比較了真氫鈍化和贗氫鈍化的區(qū)別.
　　我們構(gòu)建了氫鈍化的AlN，GaN，InN閃鋅礦和纖鋅礦兩種結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)模型，基于密度泛函理論的廣義梯度近似方法，計(jì)算了體材料、裸量子點(diǎn)、真氫及贗氫鈍化量子點(diǎn)的帶隙.經(jīng)過比較和分析所得結(jié)果發(fā)

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