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文檔簡介
1、晶體管自發(fā)明開始便一直引導著人類信息與通信技術(shù)的進步?,F(xiàn)今市場上主流晶體管主要是無機硅基晶體管,但其技術(shù)成本高,工藝較為復雜,給工業(yè)化生產(chǎn)帶來了困難。有機場效應(yīng)晶體管(OFET)是以無機半導體三極管為基礎(chǔ),使用有機半導體為材料而發(fā)展起來的新一代電子器件。在有機半導體中,聚合物半導體材料具有非常優(yōu)秀的光學和電學性能,它們通常具有很好的成膜性和柔韌性,這使得它們在大面積柔性器件上也有很好的發(fā)展前景。為了進一步提高器件性能,研究者們需要發(fā)展更
2、多類型的新材料,尤其是含缺電子的芳香基的材料,并深入理解其結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系。
本論文的主要內(nèi)容:
1.合成了一系列以 NDI為核的金屬共軛聚合物(P1-P3)和二聚體(D1-D2),并對其結(jié)構(gòu)和性能進行了表征。這些有機半導體材料都具有優(yōu)良的溶解性、成膜性和熱穩(wěn)定性。光譜吸收覆蓋紫外-可見光區(qū),金屬聚合物和二聚體的光學帶隙在1.46eV-1.68 eV之間。研究表明:隨著噻吩環(huán)增加,有利于光譜吸收拓寬。但是隨著聚合物共
3、軛鏈延長的同時,可能導致了聚合物鏈段的規(guī)整性的降低。
2.合成了一系列NDI為核的有機共軛聚合物(B1,B2,T1,T2),并對其結(jié)構(gòu)性能進行了研究和表征。這些聚合物都有良好的溶解性和熱穩(wěn)定性(分解溫度都在400℃以上)。它們的光學帶隙范圍在1.41 eV到1.59 eV之間,屬一類窄帶隙聚合物,帶隙的變化趨勢與NDI金屬聚合物一致。
3.合成了新型的含卟啉和 N-稠合苝基團的小分子 S1,并對其性能結(jié)構(gòu)進行了測試。
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