基于橫向和垂直結構的有機場效應晶體管的研究.pdf

1、有機場效應晶體管(Organic Field Effect Transistor，OFET)是有機電子學的重要研究課題之一。自從第一個OFET誕生起到現(xiàn)在，OFET的研究獲得了巨大的進展，由于它具有良好的發(fā)展前景和商用價值，因而具有重要的研究意義。OFET具有制備溫度低、成本低，而且比硅晶體管更好的柔韌性，因此適合用于液晶顯示器和有機電致發(fā)光柔性顯示器的有源矩陣驅動電路、智能卡、電子條形碼標簽、商品價格標簽和大面積傳感陣列等應用領域。<

2、br>　　 本論文首先回顧了OFET的發(fā)展歷史，評述了OFET發(fā)展過程中所存在的問題及各階段的研究重點，并對現(xiàn)階段OFET存在的問題、研究熱點及未來的發(fā)展方向作了總結。其次，概述了各種OFET中常用的材料，包括有機場效應半導體材料、電極材料和絕緣層材料等。闡釋了OFET的工作機理，并推導了OFET相關的電流電壓方程。
　　 基于目前OFET發(fā)展中存在的一些問題，本論文主要以OFET器件為研究對象，合理地設計了器件的結構，制備了

3、橫向和垂直結構的場效應晶體管。并通過對有機材料的選擇與器件結構相結合，實現(xiàn)了器件的多功能化。論文的主要工作如下：
　　 (1)以高遷移率并五苯為有源層材料，低成本的銅為電極材料，制備的場效應晶體管達到了同等條件下以昂貴的金為電極材料的OFET性能。存儲在空氣中十小時后的器件表現(xiàn)出更好的性能，場效應遷移率由0.012增加到0.03 cm2V-1s-1，閾值電壓由-14減小到-9 V，電流開關比接近104。存儲器件性能改善的原因是銅

4、源、漏電極在空氣中的氧化生成一層薄的銅氧化物。并對這薄層氧化物所起到的作用進行了詳細分析。實驗結果說明，利用銅電極的自我氧化作用可為OFET的制備降低生產(chǎn)成本。
　　 (2)采用OFET頂接觸結構，LiF/Al作為源漏電極，制備了有機發(fā)光二極管(OLED)。器件呈現(xiàn)OFET的場效應行為和OLED的光電特性。五個有機層在器件實現(xiàn)不同功能分別起到不同的作用。雖然有機層的厚度在一定程度上影響了OLED的光電特性，但卻實現(xiàn)了晶體管單極的

5、場效應行為。根據(jù)FET的傳統(tǒng)結構和工作機理，分析了場效應行為形成的原因。這種多功能光電的器件將為研究電荷載流子的復合，傳輸和注入機制提供一種新的途徑。
　　 (3)制備了一種有機垂直光發(fā)射晶體管(VOLET)。其結構為一個有機光發(fā)射單元垂直堆疊在一個電容單元上，兩單元通過一個共有的源電極連在一起。該器件兼具有機發(fā)光二極管(OLED)的發(fā)光和晶體管的開關調節(jié)兩個功能。當電容單元被充電時，積累在源電極的電荷能有效地調節(jié)有機光發(fā)射單元