并五苯有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究.pdf

1、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)是一種新型的電子器件，是利用電場(chǎng)來控制固體材料導(dǎo)電性能的有源器件，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管因具有：低成本、柔韌性、可實(shí)現(xiàn)大面積加工等一系列無機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管所不具備的優(yōu)點(diǎn)受到越來越多的關(guān)注。經(jīng)過十幾年的發(fā)展已經(jīng)取得了巨大的進(jìn)展，已成為重要的電子器件之一。 本文回顧了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究背景、發(fā)展歷史、應(yīng)用領(lǐng)域及目前研究存在的熱點(diǎn)研究問題。簡(jiǎn)要概述了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的器件結(jié)構(gòu)及有機(jī)半導(dǎo)體材料。介紹了有機(jī)半導(dǎo)體的兩種

2、導(dǎo)電類型、金屬電極與有機(jī)半導(dǎo)體的能帶關(guān)系、及目前有機(jī)半導(dǎo)體中較具影響力的載流子傳輸機(jī)制和金屬/有機(jī)半導(dǎo)體接觸理論。從有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本工作模型和Ⅰ-Ⅴ方程兩個(gè)方面論述了OFET的基本工作原理。討論了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管中的載流子遷移率的物理意義，并且介紹了場(chǎng)效應(yīng)遷移率的計(jì)算方法。 本文重點(diǎn)介紹了并五苯OFET器件研究的相關(guān)工作。我們從實(shí)驗(yàn)室具體條件出發(fā)，分別以旋涂聚酰亞胺和熱生長(zhǎng)SiO2為柵絕緣層，以鋁、金等金屬為電極制備了OFET

3、，對(duì)器件的制備工藝進(jìn)行了詳細(xì)的描述，對(duì)薄膜的形貌利用AFM進(jìn)行了表征，并且獲得了較好的Ⅰ-Ⅴ特性曲線。計(jì)算得到以聚酰亞胺為絕緣層的OFET器件載流子遷移率μ為：0.079cm2/V.s；而以熱生長(zhǎng)SiO2為絕緣層的OFET的Ⅰ＃器件的載流子遷移率為：0.073cm2/V.s，Ⅱ＃器件的載流子遷移率為0.42cm2/V.s，我們研究認(rèn)為襯底溫度影響并五苯薄膜蒸發(fā)速率，進(jìn)而影響器件載流子遷移率，指出，對(duì)于并五苯薄膜有一個(gè)最優(yōu)的襯底溫度和薄膜