場(chǎng)效應(yīng)晶體管

1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransist縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。目錄基本特點(diǎn)工作原理主要參數(shù)型號(hào)命名主要作用試驗(yàn)測(cè)試分類簡(jiǎn)介測(cè)量方法基本特點(diǎn)工作原理主要參數(shù)型號(hào)命名主要作用試驗(yàn)測(cè)試分類簡(jiǎn)介測(cè)量

2、方法判斷方法產(chǎn)品特性?電氣特性?參數(shù)符號(hào)?注意事項(xiàng)?使用優(yōu)勢(shì)?應(yīng)用領(lǐng)域?應(yīng)用特點(diǎn)展開(kāi)編輯本段基本特點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管大，根據(jù)漏極源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極源極間

3、的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。編輯本段主要參數(shù)直流參數(shù)飽和漏極電流IDSS它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾