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1、基于TF(Thin Film)-SOI襯底應(yīng)變SiBiCMOS（由TF-SOI SiGe HBT和TF-FD-SSOI MOSFET單元構(gòu)成）技術(shù)是當(dāng)前國內(nèi)外研究發(fā)展的重點和熱點，在高性能、高集成度、低功耗納米電路中具有廣闊的應(yīng)用前景。
本文主要開展TF-SOI SiGe HBT和TF-SOI應(yīng)變MOSFET電學(xué)特性的研究工作：1）、針對所提出的TF-SOI SiGe HBT結(jié)構(gòu)，建立TF-SOI SiGe HBT集電結(jié)空間電
2、荷區(qū)電容模型，在此基礎(chǔ)上，進一步建立 TF-SOI SiGe HBT正/反向厄利電壓模型，對TF-SOI SiGe HBT的頻率和厄利特性進行仿真分析，獲得了有實用價值的相關(guān)結(jié)論。2）求解泊松方程，獲得TF-FD-SSOI MOSFET二維表面勢模型，建立該器件的閾值電壓和亞閾電流解析模型。ISE-TACD數(shù)值仿真表明：本文所建模型與其結(jié)果一致，驗證了本文模型的正確性。本文TF-SOI SiGe HBT與 TF-FD-SSOI MOSF
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