電極修飾對并五苯有機場效應(yīng)管性能的影響.pdf

1、有機場效應(yīng)晶體管（Organic Field-Effect Transistor，OFET）因其質(zhì)輕價廉且與柔性襯底兼容等優(yōu)點而在電子標(biāo)簽、柔性電子電路、傳感器、有機激光器等領(lǐng)域受到了越來越多的關(guān)注。然而 OFET器件商業(yè)化仍然受到一定的限制，主要在于其載流子遷移率、閾值電壓等仍與無機FET器件存在一定的差距。以上的問題都與OFET器件的界面性質(zhì)密切相關(guān)。
　　因此，本文著重研究 OFET器件中金屬與半導(dǎo)體接觸面，通過對該界面進行

2、界面修飾，改善界面接觸，以期制備高性能的器件。研究內(nèi)容主要分三部分：
　　1.研究了三種聚合物材料PMMA、PS、PVDF作為電極修飾層修飾OFET，對器件性能的影響。相比于未加電極修飾層的器件，加了聚合物電極修飾材料的器件性能都有了顯著的提升，并且PMMA作為電極修飾層的OFET器件性能最優(yōu)遷移率為0.59 cm2/Vs，是對照器件的5倍。主要歸因于PMMA具有和并五苯匹配的表面能，介電常數(shù)不高，這些條件都有利于并五苯薄膜的生長

3、，同時，較低的接觸電阻表明器件形成了良好的有源層和金屬的接觸，從而有助器件性能的提高。
　　2.研究了絲蛋白作為電極修飾層，對OFET器件性能的影響，并對絲蛋白厚度進行了優(yōu)化。結(jié)果表明當(dāng)加入絲蛋白作為緩沖層時，器件性能均有所提升，且當(dāng)絲蛋白厚度 d=4 nm時，器件的載流子遷移率與飽和電流分別達到最大值0.32 cm2/Vs與32μA，相比于對比器件分別提高了2倍多和3倍。器件的接觸電阻也從1.59 MΩ·cm降低到0.23 MΩ

4、·cm。通過對薄膜進行AFM表征器件性能的提升主要歸因于相比于生長在金電極上的并五苯，生長在絲蛋白上的并五苯薄膜的結(jié)晶度得到了很大的提高。
　　3.研究了三種空穴傳輸材料m-MTDATA、TPD、SubPc作為緩沖層對OFET器件性能的影響。引入空穴傳輸緩沖層后，器件性能均得到明顯的改善。器件性能的提升主要歸功于空穴傳輸型材料對金屬有機界面接觸電阻的明顯改善。不同的空穴傳輸型材料對器件的性能的影響有著明顯的差異，這歸結(jié)于不同材料特