有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的制作及特性研究.pdf

1、本論文在對(duì)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管有源層材料生長(zhǎng)工藝進(jìn)行優(yōu)化的基礎(chǔ)上，用真空熱蒸發(fā)結(jié)合硅集成電路工藝的方法制備了有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管，研究了器件的場(chǎng)效應(yīng)性能。 首先，以熱氧化后的硅片為襯底，用真空蒸鍍的方法制備了有機(jī)半導(dǎo)體材料并五苯薄膜，通過(guò)X射線衍射和原子力顯微鏡對(duì)薄膜的生長(zhǎng)晶體結(jié)構(gòu)及形貌等進(jìn)行了分析，討論了薄膜制備過(guò)程中的諸多因素對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響。并用飛行時(shí)間(TOF)法測(cè)試了并五苯薄膜的載流子漂移遷移率，發(fā)現(xiàn)其量級(jí)在10-3cm2/V·s左右

2、，這證明我們制備的并五苯薄膜具有良好的性能。在測(cè)試過(guò)程中我們發(fā)現(xiàn)并五苯薄膜具有負(fù)微分遷移率，理論擬合的結(jié)果表明，實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以和E.M.CONWELL等人的理論很好的吻合。在考慮了分子結(jié)構(gòu)和能帶關(guān)系的基礎(chǔ)上制備了摻雜了并四苯的并五苯薄膜，用飛行時(shí)間法測(cè)試了薄膜的載流子遷移率，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，經(jīng)過(guò)摻雜的薄膜其載流子遷移率是未摻雜的4倍。通過(guò)選擇合適的材料和恰當(dāng)?shù)姆椒?，摻雜將有可能大幅度提高有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的性能。通過(guò)集成電路中的光刻工藝來(lái)制作場(chǎng)效