銀納米線的合成及在透明電極中的應用研究.pdf

1、ITO是有機光電器件應用最廣泛的陽極,而其中不可再生資源銦在自然界存儲量有限,太陽能電池、顯示器件對ITO導電薄膜的需求日益增大,使得ITO價格水漲船高。加之ITO機械性能脆弱易碎,限制了器件的發(fā)展。為了尋求其替代品,近年來一維納米結構如銀納米線(AgNWs)、碳納米管(CNTs)等成為研究熱點。本文針對這一問題對銀納米線的生長合成進行研究,成功合成了長徑比良好的銀納米線,并將其制備成與ITO導電玻璃光、電性能相當?shù)耐该麟姌O。
　

2、　1.銀納米線生長過程中的影響因素的研究。利用溶劑熱法,以PVP為表面活性劑,引入氯鹽作為晶種,乙二醇為溶劑和還原劑在高溫下還原硝酸銀,成功制備出銀納米線,并對其進行表征。制備的銀納米線直徑為30nm~100nm,長度為15μm~25μm。研究了 PVP與硝酸銀不同摩爾比對銀納米線的影響,研究表明摩爾比為3:1時合成的銀納米線最為理想。研究了不同濃度下金屬鹽NaCl、FeCl3作為晶種的影響。研究表明NaCl為晶種且濃度為30μM合成的

3、銀納米線產量最高。
　　2.基于銀納米線的透明電極的制備研究。將制備的銀納米線通過離心的方法進一步提純后采用旋涂的方法成功制備了透明電極,并對其進行表征和性能評價。研究了不同旋涂角速度的影響,結果表明轉速越高透明電極的透明電極的表面電阻和光透過率越高。同時,增加旋涂次數(shù)會很大程度上降低其表面電阻。研究表明,當旋涂角速度為3000rpm,旋涂2次時,制備的透明電極方阻為10.42Ω/□,可見光透過率為85.1％,與ITO相當。